Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Diotec Semiconductor 1N5059 - 1N5059 (Diotec Semiconductor) - Silicon Rectifiers
| Наименование: | 1N5059 |
|---|---|
| Производитель: | Diotec Semiconductor |
| Файл: | 1N5059_Diotec Semiconductor.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | 1N 5059 … 1N 5062 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case KunststoffgehГ¤use Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 GehГ¤usematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / MaГџe in mm 2A 200…800 V DO-15 DO-204AC 0.4 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ 1N 5059 1N 5060 1N 5061 1N 5062 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 200 400 600 800 Grenzwerte Surge peak reverse voltage StoГџspitzensperrspannung VRSM [V] 200 400 600 800 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave StoГџstrom fГјr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 25/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 2 A 1) 10 A 1) 50 A 12.5 A2s – 50…+150/C – 50…+175/C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case GГјltig, wenn die AnschluГџdrГ¤hte in 10 mm Abstand von GehГ¤use auf Umgebungstemperatur gehalten werden 62 28.02.2002 1N 5059 … 1N 5062 Characteristics Forward voltage – DurchlaГџspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 2 A VR = VRRM VF IR RthA Kennwerte < 1.1 V < 5 :A < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air WГ¤rmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case GГјltig, wenn die AnschluГџdrГ¤hte in 10 mm Abstand von GehГ¤use auf Umgebungstemperatur gehalten werden 28.02.2002 63 |
