Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
General Semiconductor 1N914 - 1N914 (General Semiconductor) - SMALL SIGNAL DIODE
| Наименование: | 1N914 |
|---|---|
| Производитель: | General Semiconductor |
| Файл: | 1N914_General Semiconductor.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | 1N914 SMALL SIGNAL DIODE DO-35 FEATURES ♦ Silicon Epitaxial Planar Diode min. 1.083 (27.5) ♦ For general purpose and switching. max. в€….079 (2.0) max. .150 (3.8) Cathode Mark min. 1.083 (27.5) MECHANICAL DATA Case: DO-35 Glass Case Weight: approx. 0.13 g max. в€….020 (0.52) Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25В°C ambient temperature unless otherwise specified. SYMBOL VALUE UNIT Peak Reverse Voltage Maximum Average Rectified Current Maximum Power Dissipation at Tamb = 25 В°C Maximum Junction Temperature Maximum Forward Voltage Drop at IF = 10 mA Maximum Reverse Current at VR = 20 V VR = 75 V Max. Reverse Recovery Time at IF = IR = 10 mA, VR = 6 V, RL = 100 Ω, to Irr = 1 mA Maximum Capacitance at VR=0, f=1.0 MHZ VRM Io Ptot Tj VF IR 100 75 500 200 1.0 25 5.0 4.0 4.0 V mA mW В°C V nA ВµA ns pF trr Ctot 11/09/98 |
