Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Micro Commercial Components 1N914 - 1N914 (Micro Commercial Components) - 500mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diodes
| Наименование: | 1N914 |
|---|---|
| Производитель: | Micro Commercial Components |
| Файл: | 1N914_Micro Commercial Components.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | MCC )HDWXUHV • • • omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $ % !"# 1N914(A)(B) Low Current Leakage Compression Bond Construction Low Cost 500mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diodes DO-35 O 0D[LPXP5DWLQJV • • • Operating Temperature: -55 C to +150 C Storage Temperature: -55OC to +150 OC Maximum Thermal Resistance; 300OC/W Junction To Ambient O Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified Maximum Repetitive Reverse Voltage Average Rectified Forward Current Power Dissipation Junction Temperature Peak Forward Surge Current VRRM IO PD TJ IFSM 100V 200mA 500mW 150OC 1.0A 4.0A 100V 75V A D Minimum Breakdown Voltage Maximum Instantaneous Forward Voltage 1N914 1N914 A 1N914 B 1N914 B Maximum Reverse Current Typical Junction Capacitance Reverse Recovery Time VR Pulse Width=1.0 second Pulse Width=1.0 microsecond IR=100uA, IR=5.0uA O TJ = 25 C IFM = 10mA; IFM = 20mA; IFM = 100mA; IFM = 5.0mA; VR=20V, TJ=25OC, O VR=75V, TJ=25 C, VR=20V, TJ=150 OC Measured at 1.0MHz, VR=0V IF=10mA VR = 6V RL=100 Г™, Irr=1.0mA Cathode Mark B D C VF 1.0V IR CJ Trr 720mV 25nA 5.0uA 50uA 4.0pF 4.0nS DIMENSIONS INCHES MIN ------1.000 MM MIN ------25.40 DIM A B C D MAX .166 .079 .020 --- MAX 4.2 2.00 .52 --- NOTE *Pulse test: Pulse width 300 usec, Duty cycle 2% www.mccsemi.com 1N914(A)(B) Figure 1 Typical Forward Characteristics 20 1N914B 1N914A 10 6 1N914 4 2 MilliAmps 1 .6 .4 .2 25OC .1 .06 .04 .02 .01 .4 .6 .8 1.0 1.2 1.4 0 100 400 300 MilliWatts 200 500 600 MCC Figure 2 Forward De rating Curve Single Phase, Half Wave 60Hz Resistive or Inductive Load 0 50 75 100 O 125 150 175 C Admissable Power Dissipation - MilliWatts versus Ambient Temperature - OC Volts Instantaneous Forward Current - Amperes versus Instantaneous Forward Voltage - Volts Figure 3 Junction Capacitance 10 6 4 2 pF 1 .6 .4 .2 .1 .1 .2 .4 1 2 4 Volts Junction Capacitance - pF versus Reverse Voltage - Volts 10 20 40 100 200 400 1000 TJ =25OC www.mccsemi.com 1N914(A)(B) MCC Figure 4 Typical Reverse Characteristics 1000 600 400 200 100 60 40 20 10 NanoAmp 6 4 2 1 .6 .4 .2 .1 20 40 60 TJ Instantaneous Reverse Leakage Current - NanoAmperes O versus Junction Temperature - C 80 100 120 140 MilliAmps 1200 1000 800 600 400 200 0 1 2 4 6 8 10 20 Cycles Peak Forward Surge Current - Amperes versus Number Of Cycles At 60Hz - Cycles 40 60 80 100 Figure 5 Peak Forward Surge Current www.mccsemi.com |
