Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Hitachi Semiconductor 1SS108 - 1SS108 (Hitachi Semiconductor) - Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector/ High Speed Switching
| Наименование: | 1SS108 |
|---|---|
| Производитель: | Hitachi Semiconductor |
| Файл: | 1SS108_Hitachi Semiconductor.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | 1SS108 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching ADE-208-154A (Z) Rev. 1 Features • Detection efficiency is very good. • Small temperature coefficient. • High reliability with glass seal. Ordering Information Type No. 1SS108 Cathode White 2nd band Black Mark H Package Code DO-35 Outline H 1 2nd band Cathode band 2 1. Cathode 2. Anode 1SS108 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25В°C) Item Reverse voltage Average rectified current Junction temperature Storage temperature Symbol VR IO Tj Tstg Value 30 15 125 –55 to +125 Unit V mA В°C В°C Electrical Characteristics (Ta = 25В°C) Item Forward current Reverse current Capacitance Rectifier efficiency ESD-Capability Symbol IF IR C О· — Min 3.0 — — 70 70 Typ — — — — — Max — 100 3.0 — — Unit mA ВµA pF % V Test Condition VF = 1V VR = 10V VR = 1V, f = 1MHz Vin = 2Vrms, f = 40MHz, RL = 5kΩ, CL = 20pF *C = 200pF, Both forward and reverse direction 1 pulse. Note: Failure criterion; I R ≥ 200ВµA at VR = 10V 10 –1 Forward current I F (A) 10 –2 10 –3 10 –4 10 –5 10 –6 0 1.2 1.6 0.4 0.8 Forward voltage VF (V) 2.0 Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage 1SS108 10 –2 Reverse current I R (A) 10 –3 10–4 10 –5 10 –6 0 5 10 15 20 25 Reverse voltage VR (V) 30 Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage f = 1MHz 10 Capacitance C (pF) 1.0 10 –1 10 –1 1.0 Reverse voltage VR (V) 10 Fig.3 Capacitance Vs. Reverse voltage 1SS108 100 80 Rectifier efficiency О· (%) 60 40 20 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input voltage Vin (Vrms) Fig.4 Rectifier efficiency Vs. Input voltage 1SS108 Package Dimensions Unit: mm 26.0 Min 4.2 Max 26.0 Min П† 2.0 Max П† 0.5 1 H 2 2nd band (Black) Cathode band (White) HITACHI Code JEDEC Code EIAJ Code Weight (g) 1 Cathode 2 Anode DO-35 DO-35 SC-48 0.13 |
