Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Panasonic Semiconductor 2SJ0536 - 2SJ0536 (Panasonic Semiconductor) - Silicon P-Channel MOS FET
| Наименование: | 2SJ0536 |
|---|---|
| Производитель: | Panasonic Semiconductor |
| Файл: | 2SJ0536_Panasonic Semiconductor.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ0536 Silicon P-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching 2.1В±0.1 0.425 1.25В±0.1 0.425 unit: mm q High-speed switching q S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. q Low-voltage drive (Vth: в€’1 to 2V) q Low Ron 0.65 1 2.0В±0.2 1.3В±0.1 0.65 3 2 0.2 0.9В±0.1 s Absolute Maximum Ratings (Ta = 25В°C) Parameter Drain to Source voltage Gate to Source voltage Drain current Max drain current Allowable power dissipation Channel temperature Storage temperature Symbol VDS VGSO ID IDP PD Tch Tstg Ratings в€’30 В±20 в€’100 в€’200 150 150 в€’55 to +150 Unit V V mA mA mW В°C В°C 0.7В±0.1 0 to 0.1 0.2В±0.1 1: Gate 2: Source 3: Drain EIAJ: SC-70 S-Mini Type Package (3-pin) Marking Symbol: 2C s Electrical Characteristics (Ta = 25В°C) Parameter Drain current Gate cut-off current Gate threshold voltage Forward transfer admittance Drain to source ON-resistance Turn-on time Turn-off time Symbol IDSS IGSS Vth | Yfs | RDS(on) ton toff Conditions VDS = в€’30V, VGS = 0 VGS = В±20V, VDS = 0 VDS = в€’5V, ID = в€’1ВµA VDS = в€’5V, ID = в€’10mA VGS = в€’5V, ID = в€’10mA VDD = в€’5V, VGS = в€’5 to 0V, RL = 200Ω VDD = в€’5V, VGS = в€’5 to 0V, RL = 200Ω в€’1 8 50 100 25 75 min typ max в€’ 0.1 В±1 в€’2 Unit ВµA ВµA V mS Ω Вµs Вµs 0.15–0.05 +0.1 0.3–0 +0.1 s Features 1 Silicon MOS FETs (Small Signal) PD пЈ§ Ta 200 –120 2SJ0536 ID пЈ§ VDS 60 | Yfs | пЈ§ VGS Forward transfer admittance |Yfs| (mS) Ta=25ЛљC VDS=–5V 50 Allowable power dissipation PD (mW) 160 –100 Drain current ID (mA) –80 VGS=–5.5V –60 –5.0V –4.5V –40 –4.0V –20 –3.5V –3.0V 40 120 30 80 20 40 10 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 0 –2 –4 –6 –8 –2.5V –10 –12 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 –12 Ambient temperature Ta (ЛљC) Drain to source voltage VDS (V) Gate to source voltage VGS (V) ID пЈ§ VGS –240 VDS=–5V –200 –30 –100 VIN пЈ§ IO VO=–5V Ta=25ЛљC Drain current ID (mA) –160 Input voltage VIN (V) –12 –10 –3 –1 –120 Ta=–25ЛљC –80 25ЛљC 75ЛљC – 0.3 – 0.1 – 0.03 –40 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 – 0.01 – 0.1 – 0.3 –1 –3 –10 –30 –100 Gate to source voltage VGS (V) Output current IO (mA) 2 |
