Datasheets
Datasheet, поиск datasheets, архив даташитов по электронным компонентам
Для поиска datasheets (документации) по электронным компонентам воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска datasheet по алфавиту. Наша база содержит более 1 000 000 даташитов в виде pdf-файлов доступных для закачки. Если вы не нашли нужного Вам datasheet, обратитесь к администрации проекта или воспользуйтесь форумом по поиску даташитов и документации по электронным компонентам. Надеемся, что наш архив datasheet и документации по электронным компонентам поможет вам найти необходимую вам документацию.
Более 1 000 000 datasheets например: LM317
Panasonic Semiconductor 2SK65 - 2SK65 (Panasonic Semiconductor) - For Impedance Conversion In Low Frequency
| Наименование: | 2SK65 |
|---|---|
| Производитель: | Panasonic Semiconductor |
| Файл: | 2SK65_Panasonic Semiconductor.pdf |
| Скачать datasheet: |
|
| Описание: | Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0065 (2SK65) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone 4.0В±0.2 2.0В±0.2 (0.8) 3.0В±0.2 unit: mm I Features G Diode is connected between gate and source G Low noise voltage I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25В°C) Parameter Drain to Source voltage Gate to Drain voltage Drain to Source current Drain to Gate current Gate to Source current Allowable power dissipation Operating ambient temperature Storage temperature Symbol VDSO VGDO IDSO IDGO IGSO PD Topr Tstg Ratings 12 в€’12 2 2 2 20 в€’10 to +70 в€’20 to +150 Unit V V mA mA mA mW В°C В°C 1 2 3 0.45+0.20 –0.10 (2.5) (2.5) 0.45+0.20 –0.10 0.7В±0.1 15.6В±0.5 (0.8) 0.75 max. 7.6 1: Drain 2: Gate 3: Source NS-B1 Package I Electrical Characteristics (Ta = 25В°C) Parameter Drain to Source cut-off current Mutual conductance Symbol IDSS* gm NV Conditions VDS = 4.5V, VGS = 0, RS = 2.2kΩ В± 1% VDS = 4.5V, VGS = 0 RS = 2.2kΩ В± 1%, f = 1kHz VDS = 4.5V, RS = 2.2kΩ В± 1% CG = 10pF, A-curve VDS = 4.5V, RS = 2.2kΩ В± 1% CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz VDS = 12V, RS = 2.2kΩ В± 1% CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz VDS = 1V, RS = 2.2kΩ В± 1% CG = 10pF, eG = 100mV, f = 70Hz в€’10 в€’9.5 в€’11 min 0.04 300 500 typ max 0.8 Unit mA ВµS 4 ВµV dB Noise figure GV1* Voltage gain GV2* GV3* * dB dB IDSS rank classification and GV value Runk IDSS (mA) GV1 (dB) GV2 (dB) ∆| GV1 в€’ GV2 | (dB) P 0.04 to 0.2 > в€’13 > в€’12 в€’12 > в€’11 |
