Справочник
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Комментировать: Аудиоусилитель класса D мощностью 500 Вт на основе микросхемы IRS20124SРаспечатать: Аудиоусилитель класса D мощностью 500 Вт на основе микросхемы IRS20124S

Аудиоусилитель класса D мощностью 500 Вт на основе микросхемы IRS20124S


"Справочник" - информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов.


Компания International Rectifier разработала высоковольтную микросхему управления IRS20124S для аудиоусилителей класса D с мощностью 500 Вт на канал.

Драйвер имеет встроенную двунаправленную защиту по току и функцию отключения при перегрузке. Диапазон рабочих частот - до 1 МГц. IRS20124S имеет цифровой вход для сигналов логики 3,5/5 В.

Микросхема имеет встроенную функцию программируемой паузы на переключение для выбора оптимальных параметров предотвращения искажений высшими гармониками: 15, 25, 35 или 45 нс.

Для построения схемы аудиоусилителя компания IR предлагает использовать силовые (100 В) МОП транзисторы IRF6665 и IRF6645. Это позволит сократить площадь платы, уровень электромагнитных помех и улучшить параметры теплоотвода. Предлагаемый дизайн позволяет обеспечить максимальный коэффициент нелинейных искажений аудиоусилителя 0.01% при выходной мощности каждого канала 100 Вт без применения радиатора.

Особенности микросхемы IRS20124S:

- разработана специально для аудиоусилителей класса D;

- встроенная функция программируемой паузы на переключение для снижения нелинейных искажений;

- встроенная двунаправленная токовая защита без потерь для повышения КПД и упрощения схемы усилителя;

- 70 нс временная задержка между каналами для широкого частотного диапазона;

- 200 В высоковольтная технология.

Силовые МОП транзисторы Direct FET IRF6665/ IRF6645 оптимизированы для выходной мощности до 100 Вт и нагрузки 6...8/2...4 Ом. Низкая индуктивность корпуса снижает высокочастотный "звон", что повышает качество звучания. Эффективный двусторонний отвод тепла обеспечивает высокую выходную мощность при малых габаритах корпуса.

Схема включения IRS20124S

Схема включения IRS20124S

Низкие потери мощности на проводимость, управление и переключение позволяют работать без применения охладителя.

Технические характеристики резисторов IRF6665/IRF6645:

- напряжение смещения - 200 В;

- выходной ток истока - 1000 мА;

- выходной ток стока - 1200 мА;

- максимальное время задержки - 70 нс;

- напряжение питания нижнего плеча - 10...20 В;

- диапазон рабочих температур - - 40...+125°С;

- тип корпуса - SOIC-14.

Источник: Ремонт и сервис


Дата публикации: 21.07.2015
Мнения читателей

Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.


Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:








 



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics