Справочник
Полевые транзисторы КП508А
"Справочник" - справочная информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Вся справочная информация содержит все, необходимые для подбора электронных компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию электронных компонентов.
Кремниевые полевые р-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала КП508А изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.
Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с импульсным управлением, в приводах маломощных электродвигателей и другой радиоэлектронной промышленной аппаратуре.
Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с штампованными лужеными выводами. Чертеж прибора показан на рис. 1.
Рис. 1
Зарубежный аналог - BSS92.
Основные технические характеристики при Токр.ср = 25±10 °С
Остаточный ток стока, мкА, не более, при нулевом напряжении затвор-исток и напряжении сток-исток
240 В........................1
60 В .......................0,2
Ток утечки затвора, мкА, не более, при напряжении затвор-исток ±20 В и нулевом напряжении
сток-исток.................±100
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при токе стока 150 мА, напряжении затвор-исток 10 В, длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50................20
Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при токе стока 150 мА, напряжении сток-исток 10 В, длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50..............0,06
Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе и стоке .....................0,8...2
Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при токе стока 0,3 А, нулевом напряжении затвор-исток,
длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50...............1,2
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая
среда, °С/Вт, не более.........125
Емкость*, пФ, не более, при напряжении сток-исток 25 В, нулевом напряжении затвор-исток и частоте 1 МГц
входная....................130
выходная ...................30
проходная ..................15
Время задержки* включения/выключения, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, затвор-исток 10 В, токе стока 0,25 А, длительности измерительных импульсов не более 1 мкс, скважности не менее 50 и выходном сопротивлении измерительного генератора
50 Ом .....................12/33
Время нарастания/спада*, не, не более, при напряжении сток-исток 30 В, затвор-исток 10 В, токе стока 0,25 А, длительности измерительных импульсов не более 1 мкс, скважности не менее 50 и выходном сопротивлении измерительного генератора 50 Ом.................40/55
*-справочные параметры
Предельно допустимые значения
Наибольшее напряжение
сток-исток, В................240
Наибольшее напряжение
затвор-исток, В..............±20
Наибольший постоянный ток стока*, А, при напряжении затвор-исток 10 В и температуре окружающей среды 25 °С
.................0,15
Наибольший импульсный ток
стока*, А .....................0,6
Наибольший постоянный прямой ток защитного диода*, А....................0,15
Наибольший импульсный
прямой ток диода*, А..........0,6
Постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С............1
Максимальная температура
кристалла, °С.................150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С.....................-55...+125
* При условии непревышения Pmax
** В интервале температуры окружающей среды +25...+125 °С максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность Pmax, следует рассчитывать по формуле
где Ткр mах - максимальная температура кристалла; Rт кр-ср - тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда.
Допустимое значение статического потенциала 100 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Степень жесткости - II.
Режим эксплуатации и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСТ 11 336.907.0. Не разрешается использование транзисторов при предельном значении двух и более параметров. Не рекомендуется эксплуатация приборов при рабочем токе, соизмеримом с неуправляемым остаточным током во всем температурном интервале.
Допустимое число перепаек выводов при выполнении монтажно-сборочных операций - не более трех.
Рис. 2
На рис. 2-14 помещено подробное графическое представление основных характеристик полевого транзистора КП508А. Зависимость тока стока Ic от напряжения сток-исток Uси при различных значениях напряжения затвор- исток Uзи показана на рис. 2, от напряжения затвор-исток при двух значениях температуры кристалла Ткр - на рис. 3, а типовая область максимальных режимов при постоянном токе стока - на рис. 4.
Рис. 3
Рис. 4
На рис. 5 изображены зависимости сопротивления открытого канала Rси транзистора от тока стока при различных значениях напряжения затвор- исток, а на рис. 6 - то же для области минимальных значений сопротивления канала. Характер изменения крутизны вольт-амперной характеристики S прибора при изменении тока стока иллюстрирует рис. 7.
Рис. 5
Рис. 6
Рис. 7
Температурная зависимость сопротивления открытого канала представлена двумя графиками: на рис. 8 - в широких пределах изменения температуры кристалла прибора, а на рис. 9 - в нормализованном виде (как отношение сопротивления Rси при текущем значении температуры кристалла к этому сопротивлению при нормальной температуре) для плюсовых значений температуры. На рис. 10 изображена зависимость порогового напряжения затвор-исток Uзи пор от температуры кристалла, на рис. 11 - зависимость максимально допустимого постоянного тока стока от температуры окружающей среды.
Рис. 8
Рис. 9
Рис. 10
Рис. 11
Емкость транзистора - входную, выходную и проходную - позволяют оценить графики на рис. 12. Типовая зависимость максимально допустимой мощности Рmax транзистора от темпера-туры окружающей среды представлена на рис. 13, а прямого тока 1пр встроенного защитного диода от напряжения сток-исток при двух значениях температуры кристалла - на рис. 14.
Рис. 12
Рис. 13
Рис. 14
