Справочник
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Комментировать: Полевые транзисторы КП508АРаспечатать: Полевые транзисторы КП508А

Полевые транзисторы КП508А


"Справочник" - информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов.


Кремниевые полевые р-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала КП508А изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.

Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с импульсным управлением, в приводах маломощных электродвигателей и другой радиоэлектронной промышленной аппаратуре.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с штампованными лужеными выводами. Чертеж прибора показан на рис. 1.



Рис. 1

Зарубежный аналог — BSS92.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25±10 °С

Остаточный ток стока, мкА, не более, при нулевом напряжении затвор—исток и напряжении сток—исток
240 В........................1
60 В .......................0,2
Ток утечки затвора, мкА, не более, при напряжении затвор—исток ±20 В и нулевом напряжении
сток—исток.................±100
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при токе стока 150 мА, напряжении затвор—исток 10 В, длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50................20
Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при токе стока 150 мА, напряжении сток—исток 10 В, длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50..............0,06
Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе и стоке .....................0,8...2

Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при токе стока 0,3 А, нулевом напряжении затвор—исток,
длительности измерительных импульсов не более 300 мкс и скважности не менее 50...............1,2
Тепловое сопротивление кристалл—окружающая
среда, °С/Вт, не более.........125
Емкость*, пФ, не более, при напряжении сток—исток 25 В, нулевом напряжении затвор—исток и частоте 1 МГц
входная....................130
выходная ...................30
проходная ..................15
Время задержки* включения/выключения, не, не более, при напряжении сток—исток 30 В, затвор-исток 10 В, токе стока 0,25 А, длительности измерительных импульсов не более 1 мкс, скважности не менее 50 и выходном сопротивлении измерительного генератора
50 Ом .....................12/33
Время нарастания/спада*, не, не более, при напряжении сток—исток 30 В, затвор—исток 10 В, токе стока 0,25 А, длительности измерительных импульсов не более 1 мкс, скважности не менее 50 и выходном сопротивлении измерительного генератора 50 Ом.................40/55

*-справочные параметры

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение
сток—исток, В................240
Наибольшее напряжение
затвор—исток, В..............±20
Наибольший постоянный ток стока*, А, при напряжении затвор—исток 10 В и температуре окружающей среды 25 °С
.................0,15
Наибольший импульсный ток
стока*, А .....................0,6
Наибольший постоянный прямой ток защитного диода*, А....................0,15
Наибольший импульсный
прямой ток диода*, А..........0,6
Постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С............1
Максимальная температура
кристалла, °С.................150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С.....................-55...+125

* При условии непревышения Pmax

** В интервале температуры окружающей среды +25...+125 °С максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность Pmax, следует рассчитывать по формуле

где Ткр mах — максимальная температура кристалла; Rт кр-ср — тепловое сопротивление кристалл—окружающая среда.

Допустимое значение статического потенциала 100 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Степень жесткости — II.

Режим эксплуатации и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСТ 11 336.907.0. Не разрешается использование транзисторов при предельном значении двух и более параметров. Не рекомендуется эксплуатация приборов при рабочем токе, соизмеримом с неуправляемым остаточным током во всем температурном интервале.

Допустимое число перепаек выводов при выполнении монтажно-сборочных операций — не более трех.



Рис. 2

На рис. 2—14 помещено подробное графическое представление основных характеристик полевого транзистора КП508А. Зависимость тока стока Ic от напряжения сток—исток Uси при различных значениях напряжения затвор— исток Uзи показана на рис. 2, от напряжения затвор—исток при двух значениях температуры кристалла Ткр — на рис. 3, а типовая область максимальных режимов при постоянном токе стока — на рис. 4.



Рис. 3




Рис. 4

На рис. 5 изображены зависимости сопротивления открытого канала Rси транзистора от тока стока при различных значениях напряжения затвор— исток, а на рис. 6 — то же для области минимальных значений сопротивления канала. Характер изменения крутизны вольт-амперной характеристики S прибора при изменении тока стока иллюстрирует рис. 7.



Рис. 5




Рис. 6




Рис. 7

Температурная зависимость сопротивления открытого канала представлена двумя графиками: на рис. 8 — в широких пределах изменения температуры кристалла прибора, а на рис. 9 — в нормализованном виде (как отношение сопротивления Rси при текущем значении температуры кристалла к этому сопротивлению при нормальной температуре) для плюсовых значений температуры. На рис. 10 изображена зависимость порогового напряжения затвор—исток Uзи пор от температуры кристалла, на рис. 11 — зависимость максимально допустимого постоянного тока стока от температуры окружающей среды.



Рис. 8




Рис. 9




Рис. 10




Рис. 11

Емкость транзистора — входную, выходную и проходную — позволяют оценить графики на рис. 12. Типовая зависимость максимально допустимой мощности Рmax транзистора от темпера-туры окружающей среды представлена на рис. 13, а прямого тока 1пр встроенного защитного диода от напряжения сток—исток при двух значениях температуры кристалла — на рис. 14.



Рис. 12




Рис. 13




Рис. 14


Дата публикации: 21.03.2008

Мнения читателей

Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.


Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:








 



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics