Справочник
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Комментировать: Полевые n-канальные транзисторы КП7173АРаспечатать: Полевые n-канальные транзисторы КП7173А

Полевые n-канальные транзисторы КП7173А


"Справочник" - информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов.


Мощные кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением канала, с включенным между затвором и истоком дву-анодным защитным стабилитроном и мощным защитным диодом, включенным между стоком и истоком, изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для использования в источниках питания телевизионных приемников, мощных высоковольтных преобразователях, телекоммуникационных системах и другой электронной аппаратуре.

Корпус транзисторов — пластмассовый, КТ-28-2 (ТО-220АВ) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора — не более 2,5 г. Ближайший зарубежный аналог транзистора КТ7173А — STP4NK60Z.



Рис. 1

Основные технические характеристики при Ткорп = 25 ± 10ºС

Остаточный ток стока, мкА, не более, при напряжении сток—исток 600 В и нулевом напряжении затвор-исток ........................10
Ток утечки затвора, мкА, не более, при напряжении затвор—исток ±20 В и нулевом напряжении сток—исток .................±10
Ток стока, А, не менее, при напряжении сток—исток 12 В, затвор—исток — 10 В и длительности измерительных импульсов не более 300 мкс скважностью не менее 50 .............4
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при токе стока 2 А, напряжении затвор—исток 10 В и длительности измерительных импульсов не более 300 мкс скважностью не менее 50 ...............2
Крутизна характеристики, А/В, не менее, при напряжении сток—исток 25 В, токе стока 2 А и длительности измерительных импульсов не более 300 мкс скважностью не менее 50 ......2,4
Постоянное прямое напряжение на защитном диоде, В, не более, при прямом токе 4 А, нулевом напряжении затвор—исток и длительности измерительных импульсов не более 300 мкс скважностью не менее 50 .............1,6
Пороговое напряжение транзистора, В, при токе стока 50 мкА и соединенных стоке и затворе ............3...4.5
Тепловое сопротивление кристалл—корпус, °С/Вт (номинальное значение) ......1,78
Время включения/выключения*, не, не более, при напряжении сток—исток 300 В, токе стока 2 А, напряжении затвор—исток 10 В, длительности измерительных импульсов не более 300 мкс скважностью не менее 50 при выходном сопротивлении генератора импульсов 4,7 Ом ..........60/80
Емкость* транзистора, пФ, не более, при напряжении сток—исток 25 В, нулевом напряжении затвор—исток и частоте 1 МГц входная .................1100
выходная .................110
проходная .................30

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение сток—исток, В ...............600
Наибольшее напряжение затвор—исток, В.............±30
Наибольший постоянный ток стока*, А, при температуре корпуса -45...+25 °С .................4
+100 °С ...................2,5
Наибольший импульсный ток стока*, А, при длительности измерительных импульсов не более 300 мкс ......16
Наибольший постоянный прямой ток защитного диода, А, при температуре корпуса 25 °С................4
Наибольший импульсный ток
диода, А......................16
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре корпуса -45...+25 °С ..............70
Максимальная температура кристалла, °С ................150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С ....................-45...+125

* При условии непревышения наибольшей постоянной рассеиваемой мощности и максимальной температуры кристалла. ** При температуре корпуса от 25 до 125 ºС максимально допустимую мощность рассеивания Ртах вычисляют по формуле

где Ткр тах — максимально допустимая температура кристалла, ºС; Ткорп — температура корпуса, ºС; RТкр-корп — тепловое сопротивление кристалл—корпус, ºС/Вт.

Допустимое значение статического потенциала — 1000 В в соответствии с ОСТ 11073.062. Степень жесткости — V.

Указания по применению и эксплуатации — стандартные для корпуса КТ-28-2. Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки и паяльником. Режим и условия монтажа — по ОСТ 11336.907.0. Расстояние от кромки корпуса до места изгибания, лужения и пайки вывода — не менее 5 мм. Температура припоя — не более 265 °С. Наибольшее время лужения — 2 с, а пайки — 4 с.

Допустимое число перепаек выводов транзисторов при монтаже — не более трех. Недопустимо приложение к выводам прибора вращающих усилий. При установке транзистора на теплоотвод рекомендуется применение теплопроводящих паст. Припаивать теплоотводящий фланец транзистора к теплоотводу запрещается. Если необходима изоляция прибора от теплоотвода, необходимо учитывать теплопроводящую способность изолирующей прокладки.

Изгибать выводы допускается только в плоскости, поперечной плоскости выводов. Радиус изгиба — 2,5±0,3 мм. Изгибать выводы следует с помощью специальных инструментов и шаблонов, обеспечив неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом прибора.



Рис. 2




Рис. 3




Рис. 4




Рис. 5




Рис. 6




Рис. 7




Рис. 8




Рис. 9




Рис. 10

Графики зависимостей параметров транзисторов КП7173А представлены на рис. 2—10. Выходные характеристики транзистора показаны на рис. 2, а типовая зависимость сопротивления открытого канала RCИ от тока стока IС — на рис. 3. Рис. 4 иллюстрирует типовую зависимость крутизны характеристики S прибора от тока стока, а рис. 5 — входной, выходной и проходной емкости С от напряжения сток—исток UСи.

Нормализованные температурные зависимости (отношение текущего значения параметра к его значению при температуре кристалла Ткр, равной 25 °С) сопротивления открытого канала, порогового напряжения затвор—исток Uзипор.норм и пробивного напряжения сток—исток UСипроб.ноРм показаны соответственно на рис. 6—8. Так называемая область максимальных режимов при температуре корпуса прибора не более 150 С изображена на рис. 9. Токовые возможности встроенного защитного диода можно оценить по графику на рис. 10.


Дата публикации: 13.06.2008

Мнения читателей

Нет комментариев. Ваш комментарий будет первый.


Вы можете оставить свой комментарий, мнение или вопрос по приведенному вышематериалу:








 



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics