Новости в мире компьютеров и оргтехники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Hynix представляет быструю DRAM для коммуникаторов и смартфонов

Hynix представляет быструю DRAM для коммуникаторов и смартфонов



Корпорация Hynix сообщает со создании микросхемы оперативной памяти (DRAM) для мобильных устройств, плотностью 512 Мбит и работающей на частоте 200 МГц. Hynix также отметила, что представленные чипы находятся на стадии тестирования и верификации у неназванного пока производителя, так что в скором будущем ждем их интеграции в смартфоны или коммуникаторы.

 

Hynix представляет быструю DRAM для коммуникаторов и смартфонов

 

В микросхемах DRAM использована 32-разрядная шина, позволяющая достичь пропускной способности в 1,6 Гбайт/с (400 Мбит/с х32), что примерно в 1,5 раза больше, чем самый быстрый продукт компании на сегодняшний день. Размеры чипа составляют 8х10 мм.

 

В дальнейшем Hynix планирует пойти по стопам ведущих производителей компонент для мобильных устройств и интегрировать DRAM и NAND флэш-память в одном корпусе (по технологии MCP).

Источник: www.ixbt.com

Дата публикации: 04.12.2006
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics