Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed



Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J).

Приборы оснащены дополнительным выводом эмиттера (т.н. вывод Кельвина), благодаря чему коммутационные потери могут быть значительно снижены. Как видно из рисунка ниже, потери на включение транзистора в трехвыводном корпусе TO-247 и (как следствие) общие динамические потери сильно зависят от тока сток-исток.

Применяя корпуса TO-247-4L и TO-263-7L, можно добиться значительного снижения мощности потерь, особенно, при работе в номинальном режиме. Кроме того, у данных корпусов увеличен изоляционный промежуток между силовыми выводами сток-исток, что позволяет использовать приборы в условиях повышенной загрязнённости среды.

Новое третье поколение чипов C3M™ отличается меньшим размеров полупроводниковой ячейки, что позволяет снизить сопротивление канала, а также цену конечного продукта. Кроме того, теперь для включения транзистора достаточно напряжения +15 В, что дает возможность использования для управления MOSFET широкой номенклатуры стандартных драйверов. Также была значительно улучшена температурная стабильность сопротивления канала, т.о. позволяя снизить статические потери в рабочем режиме транзистора.

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

 

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

 

Особенности 1200 В SiC MOSFET в корпусах TO-247-4L и TO-263-7L

  • Новое поколение кристаллов C3M;
  • Корпус с дополнительным выводом истока;
  • Увеличенный изоляционный промежуток между стоком и истоком;
  • Высокая скорость коммутации и низкие значения паразитных емкостей;
  • Быстрый встроенный диод с малым временем обратного восстановления Qrr;
  • Малая температурная зависимость Rds(on).

 

Целевые применения

  • Импульсные источники питания;
  • Высоковольтные DC/DC преобразователи;
  • Зарядные устройства;
  • Преобразователи для возобновляемых источников энергии.

 

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 04.08.2018
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics