Новости электроники

Архив : 22 Июнь 2005 год



MAX7440 - интегрированные 6-канальные фильтры, восстанавливающие видео-сигнал

10:37

MAX7440ESD - фильтры, позволяющие заменить более 30 дискретных компонентов. Приборы идеально подходят для восстановления видеосигнала после цифро-аналогового преобразования.

MAX7440 работают от однополярного 5 В источника питания. Архитектура с открытыми входами и выходами обеспечивает линейность частотной характеристики группового времени запаздывания (характеристика с нулевым фазовым сдвигом). Фильтры имеют частоту среза, оптимизированную для обработки видео сигналов PAL и NTSC систем и сигналов телевидения со стандартной четкостью, а также одинаковый коэффициент усиления во всех шести каналах.

Отличительные особенности:

-позволяют заменить более 30 дискретных компонентов;
-разработаны для применения в CVBS, Y/C (S-Video) и RGB или Y Pb Pr системах;
-коэффициент ослабления на частоте 27 МГц - 45 дБ;
-затухание в полосе пропускания -0,2 дБ;
-идеально подходят для STB со SCART интерфейсом;
однополярное питание +5 В;
-заземленные входы;
-открытые входы, открытые или закрытые выходы.

Микросхемы выпускаются в 14-выводных SO корпусах и имеют индустриальный рабочий температурный диапазон.

Области применения: STB, DVD, магнитофоны, записывающие на жесткие диски, PVR, видео системы со SCART интерфейсом, видео фильтры общего назначения.

Источник: terraelectronica

Новые МОП-транзисторы DirectFET для узлов питания мобильных процессоров

10:31

Корпорация International Rectifier анонсировала четыре 30-вольтовых МОП-транзистора в корпусах DirectFET™, разработанных для применения в синхронных выпрямителях понижающих DC/DC конверторов источников питания новейших мобильных процессоров компаний Intel и AMD. Эти процессоры предназначены для использования в ноутбуках нового поколения, где требуются малые габариты, высокая эффективность и высокие тепловые характеристики узлов питания.

Новые транзисторы выгодно отличаются от своих аналогов благодаря более компактному корпусу и высокой нагрузочной способности, что позволяет отказаться от параллельного соединения транзисторов для реализации управляющего ключа и ключа синхронного выпрямления в синхронном выпрямителе. Это обеспечивает реализацию суперкомпактных источников питания с более высоким КПД, что очень важно для повышения компактности и мобильности вычислительных устройств с батарейным питанием.

Каждый из двух новых чипсетов состоит из двух транзисторов, один из которых оптимизирован по потерям на переключение и предназначен для применения в качестве управляющего ключа, а второй оптимизирован по потерям на проводимость и заряду обратного восстановления и предназначен для применения в качестве ключа синхронного выпрямления.

В первый чипсет входят управляющий МОП-транзистор IRF6617 и МОП-транзистор IRF6611 ключа синхронного выпрямления. Этот чипсет разработан для реализации особо компактных узлов питания с током до 20А на каждый канал.

Второй чипсет состоит из управляющего ключа IRF6637 и ключа синхронного выпрямления IRF6678 и разработан для приложений, где необходимы токи более 20A на канал. Управляющий транзистор IRF6617 нормирован на максимальное сопротивление открытого канала 8.1мОм и 10.3мОм (при напряжении на затворе 10В и 4.5В), ток стока 55А (при 25оС), типовой заряд затвора 11нК и заряд затвор-сток 4нК. Он производится в корпусе DirectFET типоразмера ST (малый корпус). Управляющий транзистор IRF6637 нормирован соответственно на максимальное сопротивление открытого канала 7.7мОм и 10.8мОм, ток стока 59А, типовой заряд затвора 11нК и заряд затвор-сток 4нК. Он производится в корпусе DirectFET типоразмера МР (средний габарит корпуса).

Оба ключа синхронного выпрямления IRF6611 и IRF6678 производятся в корпусе DirectFET среднего типоразмера MX, что облегчает замену одного на другой для повышения тока или улучшения тепловых характеристик.

Транзистор IRF6611 нормирован соответственно на максимальное сопротивление открытого канала 2.6мОм и 3.4мОм , ток стока 150А , типовой заряд затвора 37нК и заряд затвор-сток 12.5нК, а транзистор IRF6678 на максимальное сопротивление открытого канала 2.2мОм и 3мОм , ток стока 150А , типовой заряд затвора 43нК и заряд затвор-сток 15нК.

Все транзисторы также производятся в варианте без применения свинца.

Помимо ноутбуков новые транзисторы могут с успехом применяться в серверах, мощных десктопах, телекоммуникационных системах и системах передачи данных для повышения КПД и объемной плотности энергии источников питания процессоров.

Источник: Платан

Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии

10:25

Применение нового 70-нм технологического процесса позволит предложить более емкие носители данных для бытовых и мобильных устройств по более привлекательной цене.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска чипов NAND флэш-памяти высокой емкости (4 Гбит) с применением нового 70-нм технологического процесса, который позволит предложить более емкие носители данных для бытовых и мобильных устройств по более приемлемой цене. Компания Samsung впервые представила кристаллы NAND флэш-памяти емкостью 4 Гбит в сентябре 2003 года. Следуя принятой модели роста емкости модулей памяти (двукратное увеличение емкости каждые 12 месяцев), представленной доктором Чанг Гю Хвангом, президентом и исполнительным директором Samsung Electronics Semiconductor, последовательно были представлены пять поколений NAND флэш-памяти: 256 Мбит в 1999 году, 512 Мбит в 2000-м, 1 Гбит в 2001-м, 2 Гбит в 2002-м, 4 Гбит в 2003-м и 8 Гбит в прошлом 2004 году.

Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет компании Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти - площадью 0,025 кв. мкм. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.

Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи - 16 Мбайт/с, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).

Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND. По данным исследовательской компании Gartner Dataquest, микросхемы NAND флэш-памяти емкостью 4 гигабита в 2005 году займут более 30% рынка, оцениваемого в целом в 8 млрд. долларов США.

Источник: Радиолоцман

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics