Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новые МОП-транзисторы DirectFET для узлов питания мобильных процессоров

Новые МОП-транзисторы DirectFET для узлов питания мобильных процессоров



Корпорация International Rectifier анонсировала четыре 30-вольтовых МОП-транзистора в корпусах DirectFET™, разработанных для применения в синхронных выпрямителях понижающих DC/DC конверторов источников питания новейших мобильных процессоров компаний Intel и AMD. Эти процессоры предназначены для использования в ноутбуках нового поколения, где требуются малые габариты, высокая эффективность и высокие тепловые характеристики узлов питания.

Новые транзисторы выгодно отличаются от своих аналогов благодаря более компактному корпусу и высокой нагрузочной способности, что позволяет отказаться от параллельного соединения транзисторов для реализации управляющего ключа и ключа синхронного выпрямления в синхронном выпрямителе. Это обеспечивает реализацию суперкомпактных источников питания с более высоким КПД, что очень важно для повышения компактности и мобильности вычислительных устройств с батарейным питанием.

Каждый из двух новых чипсетов состоит из двух транзисторов, один из которых оптимизирован по потерям на переключение и предназначен для применения в качестве управляющего ключа, а второй оптимизирован по потерям на проводимость и заряду обратного восстановления и предназначен для применения в качестве ключа синхронного выпрямления.

В первый чипсет входят управляющий МОП-транзистор IRF6617 и МОП-транзистор IRF6611 ключа синхронного выпрямления. Этот чипсет разработан для реализации особо компактных узлов питания с током до 20А на каждый канал.

Второй чипсет состоит из управляющего ключа IRF6637 и ключа синхронного выпрямления IRF6678 и разработан для приложений, где необходимы токи более 20A на канал. Управляющий транзистор IRF6617 нормирован на максимальное сопротивление открытого канала 8.1мОм и 10.3мОм (при напряжении на затворе 10В и 4.5В), ток стока 55А (при 25оС), типовой заряд затвора 11нК и заряд затвор-сток 4нК. Он производится в корпусе DirectFET типоразмера ST (малый корпус). Управляющий транзистор IRF6637 нормирован соответственно на максимальное сопротивление открытого канала 7.7мОм и 10.8мОм, ток стока 59А, типовой заряд затвора 11нК и заряд затвор-сток 4нК. Он производится в корпусе DirectFET типоразмера МР (средний габарит корпуса).

Оба ключа синхронного выпрямления IRF6611 и IRF6678 производятся в корпусе DirectFET среднего типоразмера MX, что облегчает замену одного на другой для повышения тока или улучшения тепловых характеристик.

Транзистор IRF6611 нормирован соответственно на максимальное сопротивление открытого канала 2.6мОм и 3.4мОм , ток стока 150А , типовой заряд затвора 37нК и заряд затвор-сток 12.5нК, а транзистор IRF6678 на максимальное сопротивление открытого канала 2.2мОм и 3мОм , ток стока 150А , типовой заряд затвора 43нК и заряд затвор-сток 15нК.

Все транзисторы также производятся в варианте без применения свинца.

Помимо ноутбуков новые транзисторы могут с успехом применяться в серверах, мощных десктопах, телекоммуникационных системах и системах передачи данных для повышения КПД и объемной плотности энергии источников питания процессоров.

Источник: Платан

Дата публикации: 22.06.2005
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics