Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Подобранные в пару МOSFET от INTERNATIONAL RECTIFIER повышают КПД преобразователей

Подобранные в пару МOSFET от INTERNATIONAL RECTIFIER повышают КПД преобразователей



Компания INTERNATIONAL RECTIFIER представила два новых чипсета понижающих синхронных преобразователей на базе 30 В DirectFET MOSFET для разработки перспективных ноутбуков, использующих новейшие процессоры от INTEL и AMD и требующих миниатюрности, высокого КПД и улучшенной теплопередачи.

Новые чипсеты на 30 В предлагают высокий КПД во всем диапазоне регламентированных нагрузок. Кроме этого, они обладают большей нагрузочной мощностью по сравнению с традиционно применяемыми корпусами, так как имеют более миниатюрные корпуса и могут работать при больших токах, используя один MOSFET как управляющий, а второй - как синхронизирующий.

Все это улучшает тепловые характеристики и уменьшает размеры, что необходимо для суперкомпактных, портативных и мобильных компьютеров с экономным использованием ресурса батарей.

Каждый чипсет состоит из пары MOSFET, в которой управляющий оптимизирован по коммутационным потерям, а синхронизирующий - по прямому сопротивлению и заряду обратного восстановления.

Первый чипсет, имеющий в управляющем ключе IRF6617 и в синхронизирующем IRF6611, разработан для работы при жестких требованиях по габаритам и величине тока на канал до 20 А. Вторая пара, имеющая в управляющем ключе IRF6637, а в синхронизирующем IRF6678, разработана для улучшения тепловых характеристик в приложениях, требующих величины тока на канал более 20 А.

Управляющие транзисторы IRF6617 и IRF6637 установлены в металлические корпуса DirectFET конфигураций ST (малый корпус) и MP (средний корпус), соответственно. Для упрощения замены транзисторов в уже существующих конструкциях, оба синхронизирующих транзистора установлены в металлические корпуса DirectFET конфигураций MХ (средний корпус), что позволяет просто заменить IRF6611 на IRF6678 в случае, если требуется больший ток или улучшенные тепловые характеристики.

Новые чипсеты также позволяют разработчикам снизить габариты высокочастотных сильноточных DC/DC преобразователей, используемых для питания новейших десктопов и серверов, а также для перспективных систем телекоммуникации и передачи данных.

Патентованные компанией INTERNATIONAL RECTIFIER корпуса DirectFET MOSFET представляют разработчику целую гамму преимуществ, которую не могли дать стандартные пластиковые корпуса. Эта металлическая конструкция позволяет осуществить двухстороннее охлаждение, что практически удваивает нагрузочные возможности высокочастотных DC/DC понижающих преобразователей, питающих самые современные микропроцессоры. В дополнение стоит отметить, что устройства в корпусах DirectFET не содержат свинца и бромидов.

Источник: terraelectronica

Дата публикации: 04.08.2005
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics