Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новейший транзистор FREESCALE SEMICONDUCTOR снял ограничения вертикальной топологии

Новейший транзистор FREESCALE SEMICONDUCTOR снял ограничения вертикальной топологии



FREESCALE SEMICONDUCTOR продемонстрировала передовой транзистор, который превосходит проектные и производственные спецификации, присущие многозатворным приборам с вертикальной топологией.

Изобретение, названное "инвертированным Т-канальным полевым транзистором" (ITFET), впервые обеспечивает сочетание вертикальных и планарных тонкопленочных кристаллических структур в одном транзисторе. Данная технология дает новый импульс для разработки значительно более компактных и экономичных полупроводниковых изделий с улучшенными параметрами.

В традиционных CMOS устройствах транзисторы расположены на поверхности кремния в плоском или горизонтальном направлении. В последние годы появились устройства, выполненные по архитектуре с вертикальным расположением транзисторов, которые более экономно используют площадь кремния.

Транзисторы с вертикальной топологией выглядят более привлекательно для использования, так как они имеют меньшие токи утечки и обеспечивают больший ток управления – результат наличия нескольких затворов для управления транзистором. Несколько затворов дают возможность получить большую вычислительную мощность в меньшем объеме кремния и снизить энергопотребление изделия. Но такие транзисторы имеют ряд существенных неудобств при проектировании и производстве, связанных с механической стабильностью, ограничениями на размеры, накладываемыми литографией и повторяемостью параметров высоких топографических структур. Сочетая стабильность и технологичность планарных устройств с малыми токами утечки и прочими преимуществами вертикальной технологии, ITFET фирмы FREESCALE заканчивает споры о возможности создания планарного исполнения вертикальных CMOS структур и объединяет преимущества обеих технологий в одном изделии.

"Еще пять лет назад мнение о непрактичности изделий с вертикальной топологией было преобладающим в мире", - говорит Клаудин Симсон (Claudine Simson), главный технолог компании FREESCALE. "Благодаря упорной работе над технологическими усовершенствованиями и производственными ноу-хау компании FREESCALE, многие изделия с вертикальной топологией полупроводников, признанные ранее нереализуемыми, увидели свет". "ITFET представляется наиболее передовой и потенциально перспективной технологией производства полупроводников со времен стандартизации традиционной планарной CMOS технологии".

ITFET обеспечивает лучшую технологичность производства, чем FinFET и другие вертикальные технологии производства. Он обеспечивает значительное улучшение характеристик по сравнению с многозатворными транзисторами других планарных и вертикальных технологий, включая меньший ток утечки, более пропорциональные размеры транзистора, меньшую паразитную емкость и больший ток включенного состояния.

Вертикальная и горизонтальная части ITFET транзистора соединены для получения большей величины тока от возросшей длинны канала без увеличения занимаемой на кремнии площади. Уникальная архитектура ITFET располагает кремний планарной частью под вертикальным каналом, что улучшает технологичность за счет уменьшения подтравливания зоны под вертикальным каналом, уменьшает паразитное сопротивление и улучшает механическую стабильность вертикального канала.

ITFET устройства производятся с использованием передовой 90 нм CMOS технологии "кремний на изоляторе" на оборудовании в Austin технологическом и производственном центре компании FREESCALE, планирующей использование ITFET технологии в производстве ряда передовых изделий с технологическими нормами 45 нм и ниже.

ITFET - последнее достижение и значительный успех компании FREESCALE в области разработки транзисторов с несколькими затворами. Компания ранее анонсировала технологию полевого транзистора с несколькими независимыми затворами (MIGFET), которая размещает два электрически развязанных затвора поперек 40 нм вертикального канала.

Источник: terraelectronica

Дата публикации: 04.01.2006
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics