Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания Fairchild Semiconductor выпускает 30 В N-канальные MOSFET транзисторы с превосходными динамическими и температурными характеристиками

Компания Fairchild Semiconductor выпускает 30 В N-канальные MOSFET транзисторы с превосходными динамическими и температурными характеристиками



Компания Fairchild Semiconductor выпускает новую серию MOSFET транзисторов, изготовленных по PowerTrench технологическому процессу. Транзисторы имеют минимальную емкость Миллера благодаря чему уменьшаются потери на переключениях и улучшается управление. Минимальное сопротивление в открытом состоянии и емкость затвора позволяют существенно понизить потребляемую мощность и потери на электропроводность. Линейка MOSFET транзисторов FDS8870, FDD8870, FDU8870, FDP8870 и FDB8870 предлагается в пяти вариантах корпусного исполнения: SO8, TO220, D²PAK, IPAK и DPAK.

Технические характеристики.
FDS8870
• Rds(on) = 4.2 mΩ, Vgs = 10V, Id = 18A
• Rds(on) = 4.9 mΩ, Vgs = 4.5V, Id = 17A
FDD8870 / FDU8870
• Rds(on) = 3.9 mΩ, Vgs = 10V, Id = 35A
• Rds(on) = 4.4 mΩ, Vgs = 4.5V, Id = 35A
FDP8870
• Rds(on) = 4.1 mΩ, Vgs = 10V, Id = 35A
• Rds(on) = 4.6 mΩ, Vgs = 4.5V, Id = 35A
FDB8870
• Rds(on) = 3.9 mΩ, Vgs = 10V, Id = 35A
• Rds(on) = 4.4 mΩ, Vgs = 4.5V, Id = 35A

Применение
• DCDC конверторы

Источник: Петербургская Электронная Компания

Дата публикации: 14.04.2006
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics