Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Силовой N-канальный PowerMESH IGBT-транзистор STGD5NB120SZ от STMICROELECTRONICS

Силовой N-канальный PowerMESH IGBT-транзистор STGD5NB120SZ от STMICROELECTRONICS



STGD5NB120SZT4 – IGBT-транзистор с каналом N-типа, выполненный по технологии PowerMESH. Данная технология создана специально для высоковольтных применений. Транзистор оптимизирован для обеспечения малого падения напряжения на открытом канале для низкочастотных применений (<1кГц). Между коллектором и затвором встроен стабилитрон, ограничивающий напряжение до ±20В.

Отличительные особенности:
высокий входной импеданс (управление напряжением);
напряжение коллектор-эммитер 1200В;
ток коллектора 5А;
напряжение насыщения коллектор-эммитер <2В;
высокая нагрузочная способность;
корпус DPAK.

Структура STGD5NB120SZ приведена ниже.

Области применения: системы регулирования яркости освещения, ограничения бросков тока, системы запуска электронных ламп, электронные балласты.

Источник: terraelectronica

Дата публикации: 24.04.2006
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics