на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Силовой N-канальный PowerMESH IGBT-транзистор STGD5NB120SZ от STMICROELECTRONICS

Новости электроники
14 лет назад

Силовой N-канальный PowerMESH IGBT-транзистор STGD5NB120SZ от STMICROELECTRONICS


STGD5NB120SZT4 – IGBT-транзистор с каналом N-типа, выполненный по технологии PowerMESH. Данная технология создана специально для высоковольтных применений. Транзистор оптимизирован для обеспечения малого падения напряжения на открытом канале для низкочастотных применений (<1кГц). Между коллектором и затвором встроен стабилитрон, ограничивающий напряжение до ±20В.

Отличительные особенности:
высокий входной импеданс (управление напряжением);
напряжение коллектор-эммитер 1200В;
ток коллектора 5А;
напряжение насыщения коллектор-эммитер <2В;
высокая нагрузочная способность;
корпус DPAK.

Структура STGD5NB120SZ приведена ниже.

Области применения: системы регулирования яркости освещения, ограничения бросков тока, системы запуска электронных ламп, электронные балласты.

Источник:terraelectronica


Другие новости ...