на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Компания Freescale выпускает новый тип памяти на базе революционной технологии F

Новости электроники
14 лет назад

Компания Freescale выпускает новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM


Новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. Новая память обладает скоростью eSRAM и способностью долговременно сохранять информацию аналогично FLASH. Данная память идеально подходит для задач где необходимы быстрые запись/чтение и способность сохранять информацию в отсутствие питающего напряжение без периодического обновления.

Сравнительная таблица основных технологий памяти:

Впервые образец памяти MRAM был представлен в декабре 2003 года.

Технические характеристики.MR2A16A
•быстрая запись и чтение (скорость доступа 35 нс)
•питание 3.3 В
•минимальное потребление
•сохранение информации в отсутствии питающего напряжения
•температурный диапазон от 0 С до + 70 С
•TSOP корпус

Источник:Петербургская Электронная Компания


Другие новости ...