Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания Freescale выпускает новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM

Компания Freescale выпускает новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM



Новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. Новая память обладает скоростью eSRAM и способностью долговременно сохранять информацию аналогично FLASH. Данная память идеально подходит для задач где необходимы быстрые запись/чтение и способность сохранять информацию в отсутствие питающего напряжение без периодического обновления.

Сравнительная таблица основных технологий памяти:

Впервые образец памяти MRAM был представлен в декабре 2003 года.

Технические характеристики. MR2A16A
• быстрая запись и чтение (скорость доступа 35 нс)
• питание 3.3 В
• минимальное потребление
• сохранение информации в отсутствии питающего напряжения
• температурный диапазон от 0 С до + 70 С
• TSOP корпус

Источник: Петербургская Электронная Компания

Дата публикации: 14.07.2006
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics