Новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. Новая память обладает скоростью eSRAM и способностью долговременно сохранять информацию аналогично FLASH. Данная память идеально подходит для задач где необходимы быстрые запись/чтение и способность сохранять информацию в отсутствие питающего напряжение без периодического обновления.

Сравнительная таблица основных технологий памяти:

Впервые образец памяти MRAM был представлен в декабре 2003 года.

Технические характеристики. MR2A16A
• быстрая запись и чтение (скорость доступа 35 нс)
• питание 3.3 В
• минимальное потребление
• сохранение информации в отсутствии питающего напряжения
• температурный диапазон от 0 С до + 70 С
• TSOP корпус

Источник: Петербургская Электронная Компания

Другие новости ...

• Линейный стабилизатор TEXAS INSTRUMENTS гарантирует точность
• MAX7461 - первое промышленное устройство предупреждения о потере синхросигнала в корпусе SOT23