Ближайшие выставки:

Семинар «Методология проектирования импульсных источников питания на основе микросхем Power Integrations. Новая версия программы PI Expert»
(03.12.08 - 03.12.08)

16 международная специализированная выставка ЭНЕРГЕТИКА И ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
(19.05.09 - 22.05.09)
Новости электроники
Главная
Новости
Новости электроники
Полевые транзисторы серии DN3545 с N-каналом – надежное решение от SUPERTEX
DN3545N3-G, DN3545N8-G – полевые транзисторы с обедненным N-каналом (нормально открытый), выполненные по вертикальной DMOS-технологии в корпусах TO-92 и SOT-89. Как и всем MOS-структурам, им присущи такие качества, как высокий входной импеданс, положительный температурный коэффициент, отсутствие лавинообразного перегрева и обычно следующего за ним вторичного пробоя.
Отличительные особенности:
высокий входной импеданс;
низкая входная емкость;
высокая скорость переключений;
сопротивление открытого канала не более 20Ом;
отсутствие эффекта вторичного пробоя;
малые утечки по входу и выходу;
максимальное напряжение затвор-исток ±20В;
максимальное напряжение сток-исток до 450В;
ток канала не менее 200мА (SOT-89) и 136мА (TO-92);
диапазон рабочих температур: -55ºC...+150ºC;
корпус SOT-89 (N8) и TO-92 (N3).
Обозначение выводов DN3545 приведено ниже.

Области применения: нормально открытые ключи, твердотельные реле, преобразователи, источники постоянного тока, силовые цепи питания, телекоммуникации.
Источник: terraelectronica
Другие новости ...
- Fluke представлеят новые двухдисплейные прецизионные цифровые мультиметры
- ИС для зарядных устройств позволяет заряжать до 4-х NiMH аккумуляторов одновременно, обнаруживать и предотвращать зарядку обычных щелочных элементов питания, литиевых элементов питания, поврежденных NiMH или NiCd аккумуляторов
- Широкая полоса АЦП NATIONAL SEMICONDUCTOR снижает требования к ПЧ тракту
- Компания Telit Communications S.p.A. объявила о том, что прекращает выпуск GSM/GPRS терминалов EZ-10 GPRS и EZ-10 PCS-PYG
