Новости электроники
Архив : 20 Апрель 2007 год
ATA6662 отвечает стандарту LIN2.0 и может работать при напряжении питания до 40 В. Данный полностью интегрированный LIN-трансивер позволяет подключить локальный микроконтроллер, реализующий протокол LIN, к шине LIN. Улучшенное управление фронтами на шине LIN гарантирует надежную передачу данных на скоростях до 20 кбод, используя для синхронизации передачи RC-генератор. При переводе ATA6662 в режим сна потребляемый ток снижается до 10 мкА.
Чтобы исключить проблемы с электромагнитными излучениями, у ATA6662 поддерживается управление скоростью изменения фронтов. Фильтр на входе приемника позволяет удалить РЧ-излучения, созданные сигналами на шине. По сравнению со стандартной технологией BCDMOS (комбинированная аналогово-цифровая технология, использующая биполярные, КМОП- и ДМОП-компоненты), технология Atmel SMARTIS использует основание SOI (кремний на диэлектрике). Это, в конечном счете, позволило добиться экстремально малых токов утечки, существенно уменьшить взаимовлияние аналоговых и цифровых каскадов внутри кристалла, а также исключить возможность возникновения "тиристорного эффекта" при высоких температурах.
Кроме того, ATA6662 поддерживает несколько защитных функций, в т.ч. отключение при перегреве, полная защита от коротких замыканий, а также защита высоковольтной линии шины от напряжений до 40 В. ATA6662 полностью совместима с 3.3В-ыми и 5В-ыми приборами и содержит таймер контроля вывода TxD, который исключает возможность длительного нахождения шины в доминантном состоянии. По состоянию выводов TxD и RxD можно определить источник возобновления работы шины: локальный через вывод WAKE-UP или удаленный через шину LIN. В зависимости от распознанного источника возобновления работы, микроконтроллер исполняет соответствующую процедуру. Микросхема также отвечает жестким автомобильным требованиям и может противостоять переходным процессам в соответствии с ISO/TR 7637/1.
Образцы новой интегральной схемы LIN-трансивера ATA6662 в корпусе SO8 доступны в настоящее время.
Данные в STK12C68 автоматически переносятся из SRAM-ячеек в энергонезависимые ячейки памяти при детектировании падения напряжения питания (операция STORE). При восстановлении номинального напряжения питания, сохраненные данные автоматически восстанавливаются в SRAM-ячейках (операция RECALL). Обе операции, RECALL и STORE, можно контролировать программно.
nvSRAM-память компании Simtek – первая интегральная энергонезависимая память, обеспечивающая неограниченное число циклов чтения/записи, а также увеличивающая надёжность и производительность конечных устройств.
Отличительные особенности:
- 64Кбит (8Кx8) nvSRAM-памяти с автоматическим сохранением данных;
- время циклов доступа и записи: 45нс;
- неограниченное число циклов чтения и записи;
- автоматическое сохранение данных в энергонезависимую память при падении напряжения питания;
- аппаратный контроль автоматического сохранения данных;
- автоматическое восстановление данных в SRAM-память при включении питания;
- неограниченное число восстановления данных;
- миллион циклов сохранения данных;
- сто лет сохранности данных в энергонезависимой памяти;
- напряжение питания: 5В ±10%;
- максимальный средний ток потребления: 65мА;
- максимальный средний ток потребления во время автоматического сохранения данных: 10мА;
- температурный диапазон: -45°C…+85°C;
- корпус SOIC-28-330.
Функциональная схема STK12C68 приведена здесь
Источник: terraelectronica.ru
Данные буферы задуманы как первые в отрасли LVDS-микросхемы, предназначенные для обеспечения внесения в сигнал предыскажений в процессе передачи и нормализации сигнала при приеме, а также обеспечения работы со скоростью 3,125Гбит/с, потребляя при этом меньше энергии, чем предыдущее поколение буферов. Компания NATIONAL в течении года представит дополнительно еще 11 LVDS микросхем, включая матричные коммутаторы, мультиплексоры/буферы и разветвители, которые имеют подобные характеристики.
DS25BR100, DS25BR110 и DS25BR120 компании NATIONAL - одноканальные LVDS-буферы, обеспечивающие улучшенную целостность сигнала со скоростью до 3,125Гбит/с. Они обеспечивают лучшую в отрасли типовую величину дрожания фронтов 9пс и самое экономичное потребление энергии - 100мВт. Компания NATIONAL оптимизировала данные LVDS-буферы для скоростной передачи сигнала через кабели или системные платы из материала FR-4, используемой в коммуникационной аппаратуре и аппаратуре хранения данных и видеообработки. Например, они обеспечивают передачу сигнала на скорости 2,5Гбит/с через 10 метров кабеля InfiniBand или 100см по FR4, с 0.15 интервалом устройства (UI) остаточного дрожания фронтов на выходе нормализации. Они так же способны усиливать сигналы в кабельных соединениях следующего поколения последовательного цифрового интерфейса (SDI) вещательных видеомаршрутизаторов и цифрового визуального интерфейса (DVI) домашних кинотеатров. Буферы LVDS имеют защиту от электростатического разряда (ESD) до 7кВ и хорошо подходят для буферирования сигналов от последнего поколения 90 и 65нм микросхем программируемой логики (FPGA) и специализированных микросхем (ASIC).
Выпускаемые в 8-выводном LLP корпусе, 3,125Гбит/с микросхемы DS25BR1xx имеют полностью дифференциальный сигнальный тракт, который обеспечивает превосходную целостность сигнала и устойчивость к помехам. DS25BR100 имеет два уровня предыскажений при передаче и нормализации при приеме, что делает привлекательным ее использование как повторителя сигнала. DS25BR120 имеет четыре уровня предыскажения сигнала для использования ее как устройства оптимизированной передачи. DS25BR110 имеет четыре уровня нормализации сигнала для ее использования в качестве оптимизированного приемника.
Компактный размер корпуса LLP 3х3мм экономит занимаемую схемой площадь, а проходное расположение выводов минимизирует вносимое дрожание фронтов и позволяет упростить разводку печатной платы. Настоящие буферы работают с входными сигналами LVDS, сигналами логики с токовым режимом (CML) и низковольтной позитивной эмиттерно-связанной логики (LVPECL), выходной сигнал полностью соответствует стандарту LVDS. Дифференциальные входы и выходы имеют внутренние согласующие 100Ом резисторы для уменьшения входных и выходных потерь на отражение, снижение числа необходимых компонентов и дальнейшего уменьшения занимаемой на печатной плате площади.
Источник: terraelectronica.ru