на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 27 Май 2008 год


08:24MOSFET с быстрым восстановлением от STM снижают последовательное сопротивление
Компания STMicroelectronics разработала новое семейство MOSFET с быстрым восстановлением, сочетающим  улучшенные коммутационные характеристики со сниженным на 18% по отношению к существующим устройствам последовательным сопротивлением для удовлетворения потребностей экономичных приложений, включая контроллеры с возобновляемой энергией.

Первым устройством в новом семействе Super-Junction FDmesh II является STW55NM60ND - N-канальный MOSFET на напряжение 600В в стандартном корпусе TO-247, претендующий на лучшее в отрасли значение сопротивления в прямом направлении (60мОм) для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока величиной 51A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих жесткие ограничения по габаритам, типа систем связи и серверов.

Все это, в сочетании с преимуществами в решении тепловых проблем за счет снижения потерь, позволяет существенно поднять плотность мощности.  Для улучшения характеристик ST модифицировал архитектуру своего FDmesh super-junction путем объединения вертикальной конструкции MOSFET с типовой полосковой структурой, имеющей, к тому же, более устойчивый к внешним воздействиям и наибольшее быстродействие встроенный диод. Благодаря минимизации емкости, заряда и входного сопротивления затвора кроме уменьшения величин прямого сопротивления и времени восстановления повысилась частота переключения транзистора и снизилась мощность возбуждения.

Для обеспечения большей надежности в момент переключения приборы получили более высокое быстродействие в условиях низкой нагрузки, особенно в мостовых топологиях с переключением при нулевом напряжении (ZVS). Будущие приборы с такой топологией будут иметь дополнительные варианты корпусов и значений тока в сочетании с наилучшими значениями прямого сопротивления, обеспечивающими  минимальное время восстановления MOSFET для каждого вида корпуса. 

В ближайшее время появится STP30NM60ND в корпусе TO-220, рассчитанный на ток стока 25A при значении прямого сопротивления 130мОм, а также STD11NM60ND в корпусе DPAK для поверхностного монтажа для токов до 10A при значении прямого сопротивления 45мОм.

ST планирует введение дополнительных приборов в серию FDmesh II, с целью повышения интервала рабочих напряжений и токов для приборов в стандартных промышленных корпусах.

 

Источник: terraelectronica.ru

08:05Платы расширения для лабораторных микроконтроллерных стендов от компании mikroElektronika
ME-ADC – учебная плата расширения на базе 12-разрядного АЦП. Подключается к лабораторной отладочной плате с микроконтроллером при помощи интерфейса SPI. Для организации учебных классов и лабораторий по изучению работы микроконтроллеров AVR, 8051, PIC.

Отличительные особенности:

  • 12-разрядный 4-канальный АЦП типа MCP3204 с последовательным интерфейсом;
  • источник опорного напряжения 4,096В;
  • входы АЦП буферизованы операционными усилителями микросхемы MCP6024;
  • клеммный разъем для подключения входных цепей к АЦП;
  • три разъема SPI-интерфейса для подключения к микроконтроллерным платам на основе AVR, 8051 и PIC;
  • потенциометр для формирования аналогового сигнала на входе первого канала АЦП из напряжения питания.

Комплектация:  учебная плата расширения ME-ADC.

ME-SMARTPROTO – макетная плата расширения для лабораторных микроконтроллерных стендов. Позволяет разработчику быстро добавить к отлаженному ядру свою часть схемы и провести отладку в реальном масштабе времени. Для подключения к микроконтроллерной системе на плате имеется штыревой разъем IDC10.

Комплектация:  учебная плата расширения ME-SMARTPROTO.

Области применения: учебные лаборатории образовательных учреждений, самостоятельное изучение микроконтроллерных систем.

Источник: terraelectronica.ru

Electronic Components Distributor - HQonline Electronics