Новости электроники

Архив : 24 Апрель 2009 год



MOSFET-транзисторы STP6N62K3 и STP3N62K3 по технологии SuperMESH3 от STMicroelectronics

08:15

Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.

Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.


Основные характеристики STP6N62K3:

  • рабочее напряжение до 620В;
  • рабочий ток до 5,5А;
  • сопротивление канала: 1,28Ом;
  • рассеиваемая мощность до 90Вт;
  • корпус TO-220.

Основные характеристики STP3N62K3:

  • рабочее напряжение до 620В;
  • рабочий ток до 2,7А;
  • сопротивление канала: 2,5Ом;
  • рассеиваемая мощность до 90Вт;
  • корпус TO-220.

Внутренняя структура транзисторов STPxN62K3 показана на рисунке ниже.

Области применения: импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые; энергосберегающие лампы; корректоры коэффициента мощности; источники бесперебойного питания.

Источник: terraelectronica.ru

Компания Maxim выпустила повышающий ШИМ преобразователь напряжения

08:06

Компания Maxim Integrated Products представила микросхему MAX15031: повышающий преобразователь напряжения с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) на фиксированную частоту, созданную для низковольтных систем, в которых требуется местный источник высокого напряжения.

Работающая в диапазоне входного напряжения от 2.7В до 11В, микросхема может обеспечить без внешнего удвоителя выходное напряжение до 76В (при выходной мощности до 300мВт) с низким уровнем шумов.
Технологический процесс BiCMOS компании Maxim позволяет микросхеме MAX15031 иметь в своем составе изолированный датчик тока с быстрым (1мксек) ограничителем тока, чтобы сохранить рабочее пространство и стоимость в приложениях, традиционно выполняемых на диодах.

Эта микросхема идеальна для приложений, как источники питания для фотодиодных  датчиков, переключателей на PIN диодах и диодных преобразователей частоты в системах волоконной оптики.
Микросхема MAX15031 использует ШИМ архитектуру в режиме пикового тока с фиксированной частотой преобразования 400кГц, позволяющие получить низкий уровень пульсаций выходного напряжения.

Встроенный датчик тока обеспечивает динамический диапазон в 3 декады и позволяет с высокой точностью отслеживать ток в диапазоне от 500нА до 4мА.
Управляемый внешним резистором ограничитель выходного тока защищает лавинные фотодиоды от переходных процессов оптической мощности. Внутренняя схема мягкого запуска ограничивает пусковой ток при подаче питающего напряжения, в то время, как ограничительный диод защищает выход датчика тока от перенапряжения.

Микросхема MAX15031 выпускается в миниатюрном корпусе TQFN, размером 4мм x 4мм, с 16 выводами, и сохраняет работоспособность в температурном диапазоне от -40C до +125C.

 

Источник: terraelectronica.ru

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics