Новости электроники

Архив : 24 Июнь 2011 год



STP6N120K3 – 1200В MOSFET транзистор по технологии SuperMesh3

14:17

STP6N120K3 и STW6N120K3 - новые транзисторы компании STMicroelectronics, производимые по технологии SuperMesh3.

Примечательная особенность транзисторов технологии SuperMesh3 серии K3 являются отличные параметры при высокой надежности по привлекательным ценам. Также транзистор имеет встроенный ограничительный диод для защиты затвора.

Отличительные параметры:

    рабочее напряжение: 1200 В;
    сопротивление открытого канала: 1,95 Ом (тип.);
    рабочий ток: 6 А;
    заряд затвора: 34 нК;
    встроенная защита затвора с помощью ограничительного диода;
    корпуса: TO-220 (STP6N120K3) и TO-247 (STW6N120K3).
 


Источник: www.terraelectronica.ru

 

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics