на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 23 Июль 2012 год


08:33Новое поколение высоковольтных MOSFET транзисторов VISHAY

Компания Vishay запустила в производство новое поколение мощных 400, 500 и 600 В N-канальных MOSFET транзисторов. Эти транзисторы имеют сопротивление открытого канала от 0,13 Ом, диапазон рабочих токов от 3 до 36 А и отличный показатель добротности, который показывает степень возможности управления транзистором малым зарядом на затворе при минимальном выходном сопротивлении открытого канала. В целом, уровень заряда на затворе был снижен на 50% по сравнению с предыдущими поколениями силовых транзисторов этого типа.

 

Области применения: мощные импульсные схемы, серверы, питающее оборудование устройств телекоммуникации, сварочное оборудование, оборудование плазменной резки, зарядные устройства, балласты в освещении, разрядные лампы, индукционные печи.

Источник: www.terraelectronica.ru

Electronic Components Distributor - HQonline Electronics