Архив : 8 Январь 2013 год

 STPSC2006CW – сборка из двух диодов Шоттки компании STMicroelectronics, рассчитанных на 600 В и производимых по карбид-кремниевой (SiC) технологии. Диоды обладают малым временем восстановления и минимальными выбросами при переходных процессах, причем эти характеристики остаются стабильными во всем диапазоне рабочих температур. Благодаря большой ширине запрещенной зоны, у силового выпрямительного SiC-диода практически отсутствуют обратные токи при комнатной температуре. Высокая плотность мощности – второе преимущество SiC диодов над обычными кремниевыми диодами. Использование SiC-диодов в составе импульсного преобразователя позволяет увеличить его КПД на 0,5…1%, особенно при малых нагрузках и высоких частотах преобразования.

STPSC2006CWОтличительные особенности:

    Количество диодов в корпусе: 2;
    Схема включения диодов с общим катодом;
    Максимальное обратное напряжение диода: 600 В;
    Прямое падение напряжения: 1,4 В;
    Средний прямой ток диода: 10 А;
    Время обратного восстановления диода: ~0 нс;
    Обратный ток диода: ~0 А;
    Емкость перехода: 650 пФ;
    Рабочая температура: -40…+175 °C;
    Корпус: TO-247-3.
 

Источник: www.terraelectronica.ru