Новости электроники

Архив : 27 Март 2014 год



CAT25M02VI-GT3 – 2 Мб SPI память CMOS EEPROM от ON Semiconductor

08:45

Весной этого года компания ON Semiconductor выпустила на рынок анонсируемую ранее 2 Мб SPI память CMOS EEPROM CAT25M02VI-GT3 семейства CAT25M02.

Новые EEPROM обладают большой емкостью, высокой скоростью записи/чтения и низким потреблением. Также в них реализована дополнительная страница хранения идентификаторов с индивидуальной возможностью программной защиты от перезаписи, создана возможность аппаратной и программной защиты данных.

Интерфейс SPI реализуется с помощью четырех линий: выбор кристалла (CS, Chip Select), последовательный выход (SO, Serial Output), последовательный вход (SI, Serial Input), тактовый вход (SCK, Serial Clock). Обмен данными с процессором обеспечивается стандартным набором инструкций: инструкции записи/чтения данных (WRITE/READ), инструкции по защите данных (WREN/WRDI), инструкции по работе с регистром состояния (RDSR/WRSR).

Основные характеристики CAT25M02VI-GT3:

диапазон питающих напряжений от 1.7 В до 5.5 В;
диапазон рабочих температур: -40…+85°С;
скорость работы SPI-интерфейса: 10 МГц;
организация памяти: 256 Кбайт по 8 бит;
ток потребления в режимах чтения/записи: 2/2 мА;
количество циклов записи/чтения: 1 млн;
корпус SOIC-8.

Существует также версия памяти, созданная для автомобильного рынка – CAT25AM02.

Новые микросхемы EEPROM памяти CAT25M02 способны работать в самых жестких условиях. Области применения: промышленная электроника – приводы электродвигателей, промышленные компьютеры, промышленные сетевые контроллеры и др.

Источник: compel.ru

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics