Новости электроники

Архив : 2 Ноябрь 2016 год



Изолированные трансиверы RS-485/RS-422 с напряжением гальванической развязки 5 кВ ADM2795E

23:44

Компания ЭЛТЕХ предлагает ADM2795E - изолированный интерфейс RS-485/RS-422  от Analog Devices Inc.

Микросхема ADM2795E способна выдерживать кратковременное повышение напряжения по гальванической развязке до 5 кВ, имеет встроенную защиту от перенапряжения по уровню ±42 В (со стороны шины) и защиту от неправильного включения (miswire).  

Отличительной особенностью микросхемы является соответствие стандарту электромагнитной совместимости IEC 61000, которое обеспечивается интегрированными элементами защиты. Микросхема ADM2795E реализует защиту от микросекундных импульсных помех большой энергии (уровень 4 стандарта IEC 61000-4-5) при напряжении импульсов ± 4 кВ на шине RS-485, защиту от наносекундных импульсных помех (уровень 4 стандарта IEC 61000-4-4) при напряжении импульсов ± 2 кВ, и защиту от электростатических разрядов (в соответствии с IEC 61000-4-2, уровень 4).

ADM2795E

ADM2795E

 

Микросхема работает с напряжением питания от 1.7 до 5.5 В, что позволяет использовать ее с устройствами низковольтной логики, и полностью соответствует стандарту  TIA/EIA RS-485/RS-422. При этом синфазное напряжении в сети RS-485 может быть до ± 25 В, что повышает устойчивость связи в зашумленных условиях и обеспечивает обмен данными в сети RS-485 со скоростью до 2.5 Mbps.

Микросхема ADM2795E выпускается в двух вариантах – ADM2795EARWZ для диапазона температур −40°C …+85°C,  и ADM2795EBRWZ для диапазона −40°C …+125°C. Оба исполнения  микросхемы имеют корпус RW-16 (16-выводный "широкий" SOIC).

Для проверки микросхемы выпускается оценочная плата EVAL-ADM2795EEBZ .

Образцы микросхем и отладочные комплекты можно заказать в офисах компании ЭЛТЕХ или написав по e-mail

Источник: www.eltechspb.by

Микросхемы памяти EERAM с неограниченным числом циклов перезаписи

23:30

ЭЛТЕХ предлагает 47L04, 47C04, 47L16 и 47C16 - микросхемы памяти EERAM от Microchip Technology. Память EERAM объединяет в себе массивы памяти SRAM и EEPROM, и имеет внешний интерфейс I2C. Память EERAM обеспечивает мгновенные операции записи данных в массив памяти SRAM без задержки циклов записи, что делает серию EERAM одной из самых быстрых среди аналогов. 

Запись данных из массива SRAM в массив EEPROM может происходить автоматически при потере питания, за счет энергии внешнего конденсатора, либо периодически по команде от микроконтроллера.

Сочетание SRAM с технологией EEPROM, позволило создать микросхемы памяти с практически безграничным числом циклов перезаписи в сочетании с безопасным сохранением информации при потере питания. Кроме того, данная технология, помимо технических преимуществ, имеет меньшую стоимость производства по сравнению с технологиями NVSRAM, FRAM или MRAM. Как следствие микросхемы памяти EERAM идеальны для применения в бюджетных устройствах.

Память серии 47L04, 47C04, 47L16 и 47C16 идеально подойдет для применений, в которых необходимо регулярно записывать, обновлять или контролировать данные, в т.ч. получаемые многократными измерениями. Например, автомобильные или промышленные датчики, бытовые и коммунальные датчики учета.

Характеристики:

  • Объем памяти, Кб: 4 и 16 .
  • Корпуса: 8-pin SOIC, TSSOP и PDIP.
  • Температурные диапазоны: -40°C to +85°C, -40°C to +125°C.
  • Напряжение питания: 2.7 - 3.6 В / 4.5 - 5.5 В.
  • Интерфейс I2C, 1 МГц.

 

Для заказа образцов и комплектов для разработки, а также получения подробной информацию просим обращаться в любой офис нашей компании или по электронной почте. 

Источник: www.eltechspb.by

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics