Новости электроники

Архив : 17 Июнь 2017 год



ODLC-45/65 - диммируемые LED драйверы с низкими пульсациями от Mean Well

23:54

Компания Mean Well выпустила семейство диммируемых источников питания с низкими пульсациями для LED светильников внутреннего освещения. Новое семейство включает в себя две серии источников питания – ODLC-45 и ODLC-65 с выходной мощностью 45 и 65 ватт, соответственно.

ODLC-45 и ODLC-65 выпускаются в пластиковом корпусе с установленными проводами для подключения. Преобразователи дополняют имеющуюся номенклатуру бюджетных LED драйверов с низкими пульсациями и коррекцией коэффициента мощности: IDPC-45, IDPC-65 (в открытом исполнении) и IDLC-45, IDLC-65 (в корпусе).

Новые источники питания работают в режиме стабилизации выходного тока и обладают возможностью диммирования по интерфейсам 0-10 В и ШИМ до полного выключения. Опционально имеется разновидность источников питания с дополнительным выходом 12 В/50 мА для питания дополнительных датчиков/контроллеров установленных в светильник.

Новое семейство LED-драйверов предназначено для светильников внутреннего освещения типа “Армстронг” (и подобных) с повышенными требованиями к пульсациям освещённости.

Основные технические параметры ODLC-45 и ODLC-65:

  • выходная мощность: 45 и 65 Вт;
  • выходной ток для серии ODLC-45 из ряда: 350, 500, 700, 1050, 1400 мА;
  • выходной ток для серии ODLC-65 из ряда: 700, 1050, 1400, 1750 мА;
  • пульсации <5%;
  • КМ>0.95;
  • КПД до 88%;
  • температурный диапазон: -20ºС…+45ºС;
  • интерфейс управления яркостью: 0-10 В; ШИМ;
  • гарантия производителя 3 года.

 

Источник: www.compel.ru

Новые IGBT5 модули Infineon с технологией .XT

23:37

К современным мощным преобразователям энергии предъявляются все более жесткие требования. Они должны быть надежными, обладать большой плотностью мощности и при этом оставаться высокоэффективными. Всем вызовам индустрии отвечает новое поколение модулей Infineon c кристаллами IGBT5 и технологией .XT.

Благодаря снижению толщины кристалла, компании INFINEON удалось добиться уменьшения величин энергии выключения EOFF и напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(SAT), что позволяет снизить потери, а значит достичь большей плотности мощности в конечном изделии. Новые чипы IGBT имеют слой медной металлизации на своей верхней стороне. Это нововведение дает, во-первых, способность выдерживать токи перегрузки длительностью до 10 мкс, а во-вторых, осуществить внутренние соединения с помощью медных проводников, которые обладают лучшими механическими свойствами по сравнению с алюминиевыми. Наряду с новой методикой низкотемпературного спекания чипов транзисторов и диодов с подложкой, все эти новшества являются основой технологии .XT, дающей до 10 раз больший срок службы модуля.

Модули с кристаллами IGBT5 и технологией .XT будут доступны в корпусах PrimePack™. При этоминженерам INFINEON удалось достичь больших значений рабочего тока по сравнению с приборами на кристаллах предыдущего поколения в тех же корпусах. Это преимущество дает возможность разработчику увеличить выходную мощность, либо значительно продлить срок службы преобразователя.

Кроме этого компания Infineon представила новый корпус PrimePack™3+ и первый модуль в нем FF1800R17IP5. Он имеет ту же площадь основания, что и PrimePack™3, но при этом в комбинации с кристаллами IGBT 5 позволяет увеличить рабочий ток на 33 %.Модуль оснащен дополнительным выводом AC (средняя точка полумоста), а также вспомогательным выводом коллектора транзистора нижнего плеча.

Наименование

Рабочее напряжение, В

Выходной ток, А

Топология

Корпус

FF1200R12IE5

1200

1200

Полумост с NTC

PrimePACK™2

FF1200R12IE5P

1200

1200

Полумост с NTC и TIM

PrimePACK™2

FF1800R17IP5

1700

1800

Полумост с NTC

PrimePACK™3+

FF1800R17IP5P

1700

1800

Полумост с NTC и TIM

PrimePACK™3+

Модули также доступны с нанесенной теплопроводящей пастой TIM (Thermal Interface Material).

Особенности IGBT 5 и .XT:

  • снижение статических и динамических потерь;
  • улучшение параметров термоциклирования и работы в кратковременно периодических режимах;
  • рабочая температура переходаTVJOP=175⁰C;
  • увеличение плотности мощности на 25%;
  • экономия затрат на охлаждение при неизменной выходной мощности;
  • увеличение срока службы до 10 раз при неизменной выходной мощности;
  • большая стойкость к перегрузкам.

Источник: www.compel.ru

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics