Новости электроники

Архив : 23 Март 2018 год



TPS63070 – повышающе-понижающий DC-DC для портативной электроники

23:29

Компания Texas Instruments пополнила семейство повышающе-понижающих (buck-boost) DC-DC импульсных преобразователей питания новой микросхемой TPS63070.

TPS63070 обладает диапазоном входных напряжений 2…16 В, что позволит устройству питаться как от внешнего сетевого адаптера питания, так и от USB или от химических источников тока различного типа. Как вариант, это может быть литий-ионный аккумулятор с одним, двумя или тремя последовательно соединенными элементами.

Вне зависимости от входного напряжения в максимально допустимом диапазоне, выходное напряжение TPS63070 может быть задано в пределах от 2,5 до 9 В. Кроме этого, доступна версия TPS630701 с нерегулируемым выходным напряжением 5 В. Выходной ток может достигать значений 2А в режиме повышения или понижения напряжения. КПД преобразователя TPS63070 доходит до уровня 95%;

Типовая схема включения TPS63070

 

Типовая схема включения TPS63070

 

Технические особенности TPS63070:

  • 4 встроенных силовых транзистора MOSFET;
  • автоматический переход между режимами Buck-Mode и Boost-Mode;
  • автоматический переход в режим низкого электропотребления при малых токах нагрузки;
  • полное отключение источника от нагрузки в выключенном состоянии;
  • высокая частота коммутации 2.4 МГц;
  • возможность синхронизации внешним сигналом;
  • ультранизкий ток собственного потребления – 50 мкА;
  • возможность изменения выходного напряжения в рабочем режиме с помощью входа VSEL;

 

Несмотря на богатый набор функций, TPS63070 требует совсем небольшое количество внешних компонентов обвязки.

 

Источник: www.compel.ru

Новые 200-300V StrongIRFET от Infineon в корпусе TO-247AC

23:15

Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on), высокой стойкостью к перенапряжениям сток-исток и предназначены для работы на частотах до 100 кГц.

Благодаря снижению RDS(on) по сравнению с предыдущим поколением транзисторов, стала возможной замена двух транзисторов в корпусе TO-220 на один в TO-247, что даёт выигрыш как в габаритных размерах изделия, так и в отведении тепла. Также, благодаря оптимизации внутренних токоведущих проводников, удалось увеличить предельно допустимый выходной ток для данного корпуса. Так, например, для IRF200P222 в TO-247AC максимальный продолжительный ток стока при условиях TC = 25°C и VGS=10 В равен 182 А.

Новые транзисторы семейства StrongIRFET™ обладают повышенной стойкостью к импульсам перенапряжения сток-исток, а также к высоким dU/dt. Энергия для однократного или повторяющихся импульсов, а также максимально допустимый ток в режиме лавинного пробоя и подробные условия проведения измерений приведены в технических описаниях производителя (datasheet).

Наименование

VDS, В

RDS(on) макс., мОм при VGS=10 В

ID, А при TC =25 °C

Корпус

IRF200P222

200

6.6

182

TO-247AC

IRF200P223

11.5

100

IRF250P224

250

12.0

96

IRF250P225

22.0

69

IRF300P226

300

19.0

75

IRF300P227

40.0

50

 

 

Особенности StrongIRFET на 200-300 В

  • снижение RDS(on) (до 30% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
  • увеличение максимальной токовой нагрузки (до 40% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
  • диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C;
  • стойкость к импульсам перенапряжения сток-исток и высоким dU/dt.

 

Целевые применения

  • мощные импульсные источники питания;
  • источники бесперебойного питания;
  • питание вентильных и коллекторных двигателей;
  • инверторы для солнечных батарей;
  • усилители.

 

Источник: www.compel.ru

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics