Архив : 23 Март 2018 год

Компания Texas Instruments пополнила семейство повышающе-понижающих (buck-boost) DC-DC импульсных преобразователей питания новой микросхемой TPS63070.

TPS63070 обладает диапазоном входных напряжений 2…16 В, что позволит устройству питаться как от внешнего сетевого адаптера питания, так и от USB или от химических источников тока различного типа. Как вариант, это может быть литий-ионный аккумулятор с одним, двумя или тремя последовательно соединенными элементами.

Вне зависимости от входного напряжения в максимально допустимом диапазоне, выходное напряжение TPS63070 может быть задано в пределах от 2,5 до 9 В. Кроме этого, доступна версия TPS630701 с нерегулируемым выходным напряжением 5 В. Выходной ток может достигать значений 2А в режиме повышения или понижения напряжения. КПД преобразователя TPS63070 доходит до уровня 95%;

Типовая схема включения TPS63070

Технические особенности TPS63070:

• 4 встроенных силовых транзистора MOSFET;
• автоматический переход между режимами Buck-Mode и Boost-Mode;
• автоматический переход в режим низкого электропотребления при малых токах нагрузки;
• полное отключение источника от нагрузки в выключенном состоянии;
• высокая частота коммутации 2.4 МГц;
• возможность синхронизации внешним сигналом;
• ультранизкий ток собственного потребления – 50 мкА;
• возможность изменения выходного напряжения в рабочем режиме с помощью входа VSEL;

Несмотря на богатый набор функций, TPS63070 требует совсем небольшое количество внешних компонентов обвязки.

Источник: www.compel.ru

Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on), высокой стойкостью к перенапряжениям сток-исток и предназначены для работы на частотах до 100 кГц.

Благодаря снижению RDS(on) по сравнению с предыдущим поколением транзисторов, стала возможной замена двух транзисторов в корпусе TO-220 на один в TO-247, что даёт выигрыш как в габаритных размерах изделия, так и в отведении тепла. Также, благодаря оптимизации внутренних токоведущих проводников, удалось увеличить предельно допустимый выходной ток для данного корпуса. Так, например, для IRF200P222 в TO-247AC максимальный продолжительный ток стока при условиях TC = 25°C и VGS=10 В равен 182 А.

Новые транзисторы семейства StrongIRFET™ обладают повышенной стойкостью к импульсам перенапряжения сток-исток, а также к высоким dU/dt. Энергия для однократного или повторяющихся импульсов, а также максимально допустимый ток в режиме лавинного пробоя и подробные условия проведения измерений приведены в технических описаниях производителя (datasheet).

Особенности StrongIRFET на 200-300 В

• снижение RDS(on) (до 30% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
• увеличение максимальной токовой нагрузки (до 40% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов);
• диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C;
• стойкость к импульсам перенапряжения сток-исток и высоким dU/dt.

Целевые применения

• мощные импульсные источники питания;
• источники бесперебойного питания;
• питание вентильных и коллекторных двигателей;
• инверторы для солнечных батарей;
• усилители.

Источник: www.compel.ru