Архив : 19 Сентябрь 2018 год

1EDN7550 и 1EDN8550 - новые одноканальные драйверы силовых MOSFET-транзисторов с дифференциальным входом от компании Infineon. Новые драйверы обладают отличным подавлением синфазных помех управляющего сигнала (+72/-84 В статического напряжения и ±150 В динамического напряжения).

Благодаря реально-дифференциальному входу и раздельным выходам для заряда и разряда затвора силового транзистора возможны различные варианты реализации управления:

• схемы управления транзисторами с затвором по схеме Кельвина;
• схемы с биполярным питанием;
• схемы с высокой индуктивностью силовой части.

Схема внутренних соединений драйверов 1EDN7550/1EDN8550

Технические характеристики

• Два раздельных низкоомных выходных канала Source/Sink – +4.0/-8.0 А;
• Диапазон напряжений питания – 4.5…20В;
• Время распространения входного импульса – 45 нс;
• Возможна работа на частоте до 15 МГц;
• Защита от пониженного напряжения (UVLO) – 4.2 В (для 1EDN7550) и 8.0 В (для 1EDN8550);
• Минимальная длительность сигнала управления должна быть не менее 25 нс;
• Управление осуществляется с помощью дифференциальных входов (практически независимо от потенциала земли);
• Защита от динамического напряжения ±150 В;
• Защита от статического напряжения +72/-84 В;
• Миниатюрный корпус SOT23-6.

Целевые применения

• Корректоры коэффициента мощности (PFC);
• Схемы синхронного выпрямления (SSR);
• Промышленные источники вторичного электропитания (SMPS);
• Преобразователи для солнечной энергетики;
• Электроинструменты;
• DC-DC преобразователи широкого профиля.

Типовая схема включения драйверов 1EDN7550/1EDN8550

Типовая схема включения драйверов 1EDN*550 в схеме с биполярным питанием

Типовая схема включения драйверов 1EDN*550 в схеме с большой паразитной индуктивностью

Источник: www.compel.ru