Новости электроники

Архив : 18 Май 2020 год



STM32MP1xxD/F – новые сверхпроизводительные микропроцессоры

23:12

В Компэл появились микропроцессоры ST из семейства STM32MP1  – STM32MP1xxD/F. От предшественников из линеек STM32MP1xxA/C они отличаются максимальной частотой работы ядра Cortex-A7.

На борту новых изделий - одно или два ядра ARM Cortex-A7, работающие с Linux/Android, и одно ARM Cortex-M4, использующее экосистему ST для 32-битных микроконтроллеров.

Модели линеек STM32MP1xxD/F, как и предшественники, оснащены богатой цифровой и аналоговой периферией, имеют дополнительный функционал для работы с графикой и улучшенные характеристики безопасности. Для трассировки плат под новые процессоры в корпусах TFBGA257, TFBGA361, LFBGA354 также достаточно всего четырех слоев. Процессоры на 100% pin-to-pin-совместимы со своими предшественниками.

 

 

Особенности STM32MP1:

  • частота работы Cortex-А7: 800 МГц (3040 DMIPS у 2-х ядер);
  • частота работы Cortex-M4: 209 МГц (260 DMIPS);
  • внешняя DDR-память: до 1 Гбайт;
  • кэш инструкций: 32 кбайт;
  • кэш данных: 32 кбайт;
  • кэш второго уровня: 256 кбайт;
  • FPU + Arm NEON;
  • USB 2.0 OTG FS/HS Host;
  • SDMMC/SDIO;
  • гигабитный Ethernet IEEE 1588;
  • 3D GPU, MIPI-DSI;
  • CAN-FD, CAN2.0;
  • USART, SPI, I2C, ADC, DAC;
  • Quad-SPI, FMC;
  • AES 256, TrustZone, TDES;
  • напряжение питания: 1,71…3,6 В;
  • корпуса: LFBGA354/448, TFBGA257/361.

 

Источник: www.compel.ru

Новый EasyPACK - модуль с MOSFET-транзисторами CoolSiC, NTC и технологией PressFIT

23:02

Компания Infineon представила новый EasyPACK-модуль F4-23MR12W1M1_B11 с MOSFET-транзисторами с напряжением "сток-исток" 1200 В и сопротивлением открытого канала 23 мОм. Модуль имеет на борту встроенный датчик температуры NTC, а его монтаж на плату происходит при помощи контактной технологии PressFIT.

На борту модуля расположены четыре CoolSiC-транзистора, включенные по схеме H-моста со встроенным в MOSFET-структуру обратным диодом, который имеет малое время обратного восстановления. EasyPACK-корпус модуля обладает низкой собственной паразитной индуктивностью (не более 10 нГн) и обеспечивает симметричные пути протекания токов от силовых выводов, облегчая тем самым параллельное соединение модулей.

Схема включения транзисторов модуля F4-23MR12W1M1_B11

Схема включения транзисторов модуля F4-23MR12W1M1_B11

 

Ключевые особенности:

  • Четыре MOSFET-транзистора CoolSiC с VDS =1200 В и RDSON =23 мОм;
  • Низкие значения паразитных емкостей;
  • Отсутствие зависимости энергии потерь от температуры;
  • Встроенный обратный диод с малым временем обратного восстановления;
  • Сигналы управления -5 В, +15 В, как у IGBT;
  • Пороговое напряжение затвора >4 В;
  • Устойчивость к токам КЗ, 3 мкс;
  • Низкая паразитная индуктивность корпуса;
  • Надежная технология соединения PressFIT;
  • Встроенный NTC;
  • Размеры 62,8 х 33,8 мм;
  • Соответствует RoHS.

 

Области применения:

  • Зарядные устройства для электротранспорта;
  • DC/DC-преобразователи с высокой частотой коммутации;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Сварочные аппараты;
  • Инверторы для солнечных батарей;
  • Медицинское оборудование.

 

Источник: www.compel.ru

 За предыдущий день   Все за месяц  За следующий день   
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics