Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: 2EDL — новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

2EDL — новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon



Компания Infineon запустила производство двухканальных драйверов силовых транзисторов в полумостовой схеме. Новые драйверы 2EDL рассчитаны на напряжение смещения до 600 В и сочетают в себе высокую надежность и низкую стоимость.

Межканальная изоляция в драйверах 2EDL реализована по технологии кремний-на-изоляторе (SOI – Silicon-On-Insulator). Благодаря этой технологии, достигается повышенная устойчивость к переходным процессам и электромагнитным помехам, полностью исчезает риск возникновения ложных срабатываний в процессе работы.

Наименование

Выходной ток

Назначение

Задержка (+/-)

Защита от пониженного напряжения (UVLO)

Мертвое время (dead time)

Корпус

2EDL05I06PF

+0.7 А -0.36 А

IGBT

420 нс / 400 нс

12.5 В / 11.6 В

380 нс

DSO-8

2EDL05I06PJ

DSO-14

2EDL05N06PF

MOSFET

310 нс / 300 нс

9.1 В / 8.3 В

75 нс

DSO-8

2EDL05N06PJ

DSO-14

 

В 2EDL интегрирован ультрабыстрый диод подкачки для обеспечения питания драйвера "плавающего" верхнего уровня. Выходное напряжение драйвера практически равно напряжению питания (rail-to-rail).

 

Типовая схема включения драйвера 2EDL

Типовая схема включения драйвера 2EDL

 

Две версии драйвера с различными порогами срабатывания защиты от пониженного напряжения (UVLO) обеспечивают оптимизацию для работы с MOSFET или IGBT. Встроенная функция блокировки предотвращает одновременное включение выходов верхнего и нижнего плеча (interlocking function).

Драйверы выпускаются в корпусах DSO-8 и в DSO-14 с увеличенной дистанцией утечки тока по поверхности корпуса (Creepage Distance).

 

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 16.11.2017
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics