Новости электроники

Нашли ошибку? Сообщите нам ... Распечатать: Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon



Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.

Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

Наименование

Vdss, В

Корпус

Rds(on) тип./макс.@ 10Vgs, Ом

Ток Id @ 25°C, A

Ток Id @ 100°C, A

Qg, нКл

IPD80R280P7

800

D-PAK

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPD80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPD80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPD80R4K5P7

3.8 / 4.5

1.5

1.0

4

IPU80R1K4P7

I-PAK

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPU80R4K5P7

3.8 / 4.5

1.5

1.0

4

IPS80R1K4P7

I-PAK SL

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPP80R280P7

TO-220

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPP80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPP80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPA80R280P7

TO-220 FP

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

IPA80R450P7

0.38 / 0.45

11.0

7.1

24

IPA80R1K4P7

1.2 / 1.4

4.0

2.7

10

IPW80R280P7

TO-247

0.24 / 0.28

17.0

10.6

36

Технические преимущества:

  • Лучшее на рынке соотношение FOM – Rds(on) * Eoss;
  • Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Qg, Ciss, Coss;
  • Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
  • Самый низкий на рынке параметр Vgs(th) 3 В с малым разбросом ±0,5 В;
  • Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс защиты по HBМ).

Источник: www.compel.ru


Дата публикации: 24.03.2017
  Предыдущая       Все за текущий день      Следующая

Другие новости ...

Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor, САПР, CAD, electronics