Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER



Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.
К преимуществам можно отнести:

    Очень малые потери (RDS(on)  - 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
    Нулевой обратный ток восстановления диодов;
    Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
    Возможность работы на высоких частотах;
    Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
    Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.

Модули CAS100H12AM1 поставляются под заказ.

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 11.03.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics