Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: CoolMOS C7 Gold — флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

CoolMOS C7 Gold — флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon



Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600 В транзисторы являются универсальными и могут применяться как в схемах с жесткой коммутацией (к примеру, в корректорах коэффициента мощности), так и в резонансных (LLC, Phase Shift), а 650 В транзисторы предназначены для работы только в схемах с жесткой коммутацией.

Кристаллы новых MOSFET транзисторов выполнены по современной технологии С7 Gold, обеспечивающей низкие значения заряда затвора и паразитных емкостей, что позволяет коммутировать транзистор на высоких частотах.

Новый корпус SMD TOLL обеспечивает снижение RthJC до 20% по сравнению с корпусом D²PAK при меньших габаритных и посадочных размерах. Кроме того, корпус TOLL обладает дополнительным выводом истока, предназначенным для цепи управления транзистором (цепи драйвера), что позволяет исключить паразитную индуктивность силового вывода из цепи управления, а значит снизить динамические потери. В выводах корпуса TOLL сделаны специальные канавки для возможности визуального контроля качества пайки AOI (Automatic Optical Inspection), а также для увеличения качества смачивания припоем места пайки.

Внутренняя конструкция корпуса TOLL

Внутренняя конструкция корпуса TOLL

 

Эти преимущества позволяют конкурировать приборам линейки CoolMOS C7 Gold с выводными транзисторами в корпусах TO-247 и TO-220, открывая возможность к использованию SMD корпусов в устройствах средней и высокой мощности (например, 3 кВт CCM PFC).

Сравнение КПД преобразователя при использовании MOSFET в корпусе TO-247 и TOLL

Сравнение КПД преобразователя при использовании MOSFET в корпусе TO-247 и TOLL

 

Особенности линейки 600/650 В MOSFET CoolMOS™ C7 Gold

  • Лучшие в классе показатели FOM RDS(on) x EOSS и RDS(on) x QG;
  • Низкоиндуктивный (~1нГн) вывод истока для управления;
  • На 20% лучшее чем у D²PAK тепловое сопротивление RthJC;
  • Снижение на 30% занимаемой площади на печатной плате по сравнению с D²PAK;
  • Канавки на выводах для визуального контроля качества пайки AOI.

 

Целевые применения

  • Импульсные источники питания различного назначения;
  • Источники питания для телекоммуникационного оборудования;
  • Инверторы для солнечных батарей.

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 21.06.2018
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics