Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon



CoolSiC™ G6 - новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 и другими корпусами.

Новая технология позволяет использовать в производстве более тонкую полупроводниковую пластину, в результате чего значительно снижается прямое падение напряжения на диоде в проводящем состоянии (Vf=1,25 В при TC=25 °C). При этом показатель FOM QCxVf данных диодов остается лучшим в своем классе.

 

 

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

 

Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 на 6 А диод поколения G6. При экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь, как видно из рисунка ниже.

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

 

Другой особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.

Совместно с высоковольтными MOSFET линейки CoolMOS™ Infineon диоды G6 составляют основу для построения высокоэффективных компактных источников питания.

Наименование

VRRM , В

IF , TC = 150°C, А

QC , нКл

VF, IF = Iом , В

Корпус

IDH04G65C6

650 В

4

6,9

1,25

TO-220 real2pin

IDH06G65C6

6

9,6

IDH08G65C6

8

12,2

IDH10G65C6

10

14,7

IDH12G65C6

12

17,1

IDH16G65C6

16

21,5

IDH20G65C6

20

26,8

 

Особенности SiC диодов Шоттки CoolSiC™ G6 на 650 В

  • Самое низкое в своем классе прямое падение напряжения Vf=1,25 В;
  • Лучший в классе показатель FOM QCxVf;
  • Отсутствие заряда обратного восстановления;
  • Стойкость к высоким dv/dt;
  • Меньший уровень мощности потерь благодаря сниженным потерям проводимости.

 

Целевые применения

  • Высокоэффективные источники питания;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Инверторы для солнечных батарей.

 

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 28.06.2018
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics