на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В

Новости электроники
1 месяц назад

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм


Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом.

Модули поставляются в стандартном корпусе AG-62MM. Благодаря низкому уровню коммутационных потерь транзисторов CoolSiC, модули повышают КПД системы и снижают требования к системе охлаждения. Изделия  прекрасно подходят для различных AC/DC- или DC/DC-преобразователей систем зарядки электромобилей, систем преобразования и накопления энергии и многих других решений.

Особенности

  • SiC транзисторы 1200 В, выполненные по технологии Trench MOSFET;
  • Высокая надежность оксидного слоя затвора;
  • Опциональная поставка с предварительно нанесенным теплоизоляционным материалом (TIM);
  • Конфигурации полумоста (half-bridge);
  • Низкая паразитная индуктивность модуля (типовое значение 20 нГн);
  • Высокая скорость переключения, низкие потери;
  • Работа на высоких частотах до 100 кГц.

 

Области применения

  • Системы зарядки электромобилей;
  • Системы хранения энергии;
  • Солнечные инверторы;
  • Источники и системы питания для различных нужд.

 

Наименование

Id @ 25°C

Rds(on) (typ.) @ 25°C

Корпус

FF6MR12KM1

250 A

6.0 мОм

AG-62MM-1

FF6MR12KM1P

250 A

6.0 мОм

AG-62MM-1

FF3MR12KM1

375 А

3.0 мОм

AG-62MM-1

FF3MR12KM1P

375 А

3.0 мОм

AG-62MM-1

FF2MR12KM1

500 А

2.0 мОм

AG-62MM-1

FF2MR12KM1P

500 А

2.0 мОм

AG-62MM-1

 

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...