на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Источник питания CoolSiC MOSFET 650 В

Новости электроники
1 месяц назад

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания


Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).

Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.

Особенности:

  • Низкие потери на переключение;
  • Простота использования – управление напряжением 0…18 В;
  • Наличие внутреннего диода (body diode) с низким зарядом обратного восстановления (Qrr);
  • Слабая зависимость Rds(on) от температуры по сравнению с обычными MOSFET (см. таблицу ниже);
  • Возможность работы со стандартными драйверами;
  • Возможность работы в топологиях с жесткой коммутацией.

 

Области применения:

  • Серверное оборудование;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Телекоммуникационное оборудование;
  • Солнечные инверторы;
  • Зарядные устройства;
  • Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
  • Системы хранения энергии.

 

Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания

Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания

 

Наименование

Id @ 100°

Rds(on) (typ.) @ 25°C

Rds(on) (typ.) @ 150°C

Корпус

IMW65R027M1H

39 А

27 мОм

35 мОм

TO-247-3

IMW65R048M1H

24 А

48 мОм

63 мОм

TO-247-3

IMW65R072M1H

18 А

72 мОм

94 мОм

TO-247-3

IMW65R107M1H

13 А

107 мОм

139 мОм

TO-247-3

IMZA65R027M1H

39 А

27 мОм

35 мОм

TO-247-4

IMZA65R048M1H

24 А

48 мОм

63 мОм

TO-247-4

IMZA65R072M1H

18 А

72 мОм

94 мОм

TO-247-4

IMZA65R107M1H

13 А

107 мОм

139 мОм

TO-247-4

 

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...