Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: CSD19531KCS – новый силовой 100V MOSFET с низким зарядом затвора

CSD19531KCS – новый силовой 100V MOSFET с низким зарядом затвора



Компания Texas Instruments расширяет свое семейство транзисторов NexFET™, которые характеризуются крайне низкими потерями на проводимость и на управление.

Новый транзистор CSD19531KCS отличается низким значением заряда затвора – всего 37 нК и высоким пиковым током 122 A. Сочетание этих параметров позволяют с успехом применять этот силовой прибор в первичных и вторичных устройствах преобразования энергии с синхронным выпрямлением, солнечных инверторах и приложениях для управления двигателями.

Харатеристики CSD19531KCS
Характеристики CSD19531KCS
Транзистор выпускается в стандартном корпусе TO-220 и имеет низкое значение теплового сопротивления 0.7°C/W. MOSFET может работать при температуре перехода от -55 до +175°С.

Основные параметры:

Максимальное рабочее напряжение (Uси): 100 В;
Максимальное напряжение затвора: 20 В;
Заряд затвора Qgd 7.5 нКл ; Qg: 37 нКл;
Сопротивление открытого канала:
6.4 мОм при 10 В;
7.3 мОм при 6 В;
Пороговое напряжение затвора: 2.7 В;
Тепловое сопротивление: 0.7°C/W;
Корпус TO-220.

Источник: compel.ru

Дата публикации: 04.06.2014
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics