Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Микросхемы nvSRAM компании CYPRESS обеспечивают малое время доступа

Микросхемы nvSRAM компании CYPRESS обеспечивают малое время доступа



Компания CYPRESS SEMICONDUCTOR представила 4Мбит энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM).

Новая микросхема обеспечивает время доступа, начиная с 15нс, неограниченное количество циклов чтения, записи и восстановления и 20-летний срок сохранности данных, что делает ее применение привлекательным в приложениях, требующих непрерывной скоростной записи данных и абсолютной энергонезависимой безопасности данных, включая RAID приложения, промышленное управление в жестких условиях окружающей среды и задачу сбора данных в автомобильной, медицинской и коммуникационной аппаратуре.

Микросхемы nvSRAM снижают требуемую площадь и сложность печатной платы по сравнению с ОЗУ с поддержкой батареей и более экономичны и надежны по сравнению с магнитной (MRAM) и ферроэлектрической (FRAM) памятью.

nvSRAM с плотностью 4Мбит - первые микросхемы, созданные по S8 0.13мкм SONOS( кремний-окисел-нитрид-окисел-кремний) технологии встраиваемой энергонезависимой памяти, обеспечивающей большую плотность, улучшенное время доступа и улучшение параметров. Компания CYPRESS будет использовать технологию S8 в следующих поколениях PSoC матриц со смешанным типом сигналов, OvationONS лазерных датчиках навигации, программируемых тактовых генераторах и другой продукции. Технология Sonos совместима со стандартными КМОП технологиями, но имеет множество преимуществ, включая высокую стойкость, низкое потребление энергии и большую устойчивость к радиации. Кроме того, Sonos обеспечивает получение более надежного, технологичного и недорогого решения по сравнению с другими технологиями встраиваемой энергонезависимой памяти.

«Микросхема nvSRAM соединяет воедино две сильных стороны компании CYPRESS - ОЗУ и энергонезависимую память - в одно монолитное, высококачественное решение, востребованное во многих приложениях», - говорит Роберт Данниган (Robert Dunnigan), вице-президент бизнес отделения энергонезависимой памяти компании CYPRESS. «Кроме того, мы имеем самую широкую сеть дистрибьюторов на рынке и наилучшую поддержку для этой микросхемы».
Пол Кесвик (Paul Keswick), исполнительный вице-президент отделения разработки новой продукции добавляет: «Мы использовали все наши внутренние ресурсы для создания экономически выгодной, фирменной технологии, такой как S8, которая может быть применена в продукции для различных рынков». «В настоящее время несколько интересных новых продуктов разрабатываются с использованием этой технологии».

Микросхема 4Мбит nvSRAM выпускается в конфигурациях 512Kx8 бит (CY14B104L) и 256Kx16 бит (CY14B104N). Микросхемы отвечают требованиям RoHS и могут служить прямой заменой ОЗУ, ОЗУ с батарейным питанием, EPROM и EEPROM микросхем, обеспечивая надежное хранение данных без использования батарей. Запись данных из ОЗУ в энергонезависимые элементы микросхемы происходит автоматически при отключении питания. При подаче питания, сохраненные данные переписываются в ОЗУ из энергонезависимой памяти. Возможно проведение обеих операций программным способом.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 29.10.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics