Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Texas Instruments выпускает мощные полевые МОП-транзисторы с уменьшенным тепловым сопротивлением верхней части корпуса для лучшего охлаждения в сильноточных DC/DC-приложениях

Texas Instruments выпускает мощные полевые МОП-транзисторы с уменьшенным тепловым сопротивлением верхней части корпуса для лучшего охлаждения в сильноточных DC/DC-приложениях



Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ с инновационными корпусами обеспечивают на 80 % большее рассеяние мощности и на 50 % больший ток при стандартной площади монтажа

ДАЛЛАС (11 января 2010 г.) — Компания Texas Instruments Incorporated (TI) объявила о выпуске первого в отрасли семейства мощных полевых МОП-транзисторов (MOSFET) со стандартной площадью монтажа, рассеивающих тепло через верхнюю часть корпуса и предназначенных для сильноточных DC/DC-приложений. Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ позволят уменьшить размеры конечного оборудования, при этом через новый полевой МОП-транзистор будет протекать ток, больший на 50 %, а также улучшится теплообмен при стандартной площади монтажа. Подробная информация доступна на сайте www.ti.com/dualcool-prru.
 
Новое семейство из пяти устройств NexFET позволит разработчикам вычислительных и телекоммуникационных систем использовать процессоры с большей силой тока и расширенной памятью, что позволяет сэкономить площадь на монтажной плате. Новые полевые МОП-транзисторы в усовершенствованном корпусе могут применяться в широком ряде конечных приложений, включая персональные компьютеры, серверы, телекоммуникационное и сетевое оборудование, базовые станции и сильноточные промышленные системы. 

«Наши заказчики нуждаются в сильноточных источниках питания DC/DC с меньшей площадью монтажа для использования в устройствах с большей вычислительной мощностью на широком рынке оборудования для инфраструктуры, — сказал Стив Андерсон (Steve Anderson), старший вице-президент компании TI и руководитель международного подразделения по управлению электропитанием. — Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool NexFET удовлетворяют этим потребностям, поскольку поддерживают ток большей величины при том же размере».

Основные характеристики и преимущества мощных полевых МОП-транзисторов DualCool NexFET
•    Полевые МОП-транзисторы для однофазных синхронных понижающих преобразователей 35A в сильноточных DC/DC-приложениях, где в качестве переключателей как на стороне высокого, так и на стороне низкого напряжения используются одиночные полевые МОП-транзисторы.
•    Улучшенная технология изготовления корпусов уменьшает полное тепловое сопротивление в направлении верхней части корпуса с 10º до 15°C на 1 Вт до 1,2 C/Вт, что приводит к увеличению теплорассеивающей способности до 80 %.
•    Эффективный двусторонний теплоотвод позволяет поддерживать на 50 % больший ток через полевой транзистор, что дает разработчикам возможность гибко использовать более сильноточные процессоры без увеличения размеров конечного оборудования.
•    Принятый в качестве отраслевого стандарта корпус SON с размерами основания 5 x 6 мм упрощает проектирование и снижает стоимость, экономя 30 мм2 площади по сравнению с использованием двух стандартных корпусов.

Наличие и стоимость
В настоящее время устройства DualCool NexFET поставляются большими партиями компанией TI и ее авторизованными дистрибьюторами. Рекомендованная цена продажи для CSD16325Q5C составляет 1,47 доллара при заказе партии 1000 штук. Также предоставляются образцы и указания по применению.

Дополнительная информация о полевых МОП-транзисторах NexFET и других силовых компонентах производства компании TI:
    Заказ оценочных модулей и образцов NexFET: www.ti.com/mosfet-dcpr
    Видеоматериалы по мощным полевым МОП-транзисторам DualCool NexFET: www.ti.com/mosfet-vpr
    DC/DC-контроллеры, оптимизированные для технологии NexFET: www.ti.com/tps40303-pr, www.ti.com/tps40304-pr, www.ti.com/tps40305-pr.
    Полная линейка изделий компании TI для управления электропитанием: www.ti.com/power-dcprru


О технологии NexFET™ компании TI для мощных полевых МОП-транзисторов
В феврале 2009 года TI приобрела компанию CICLON Semiconductor Device Corporation, расположенную в городе Бетлехем, штат Пенсильвания, отдав должное инновационным, высокоэффективным решениям этой компании в области управления электропитанием. Использование технологии NexFET мощных полевых МОП-транзисторов при разработке существующей линейки средств TI для управления электропитанием дало возможность компании TI предоставить заказчикам комплексные решения для проектирования высокоэффективных источников питания. Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET — это первые предлагаемые компанией TI новые устройства этого типа с момента упомянутого приобретения.

Источник: ti.com
 

Дата публикации: 13.01.2010
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics