Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: EFC6601R и EFC6602R – новые MOSFET для коммутации батарейного питания

EFC6601R и EFC6602R – новые MOSFET для коммутации батарейного питания



EFC6601R и EFC6602R - два новых встречно-сдвоенных силовых N-канальных MOSFET транзистора от компании ON Semiconductor, предназначенных для использования в переносных устройствах с батарейным питанием, где они могут играть основную роль в цепях коммутации питания, схем заряда и защиты литий-ионных (Li-ion) аккумуляторов.



Созданные для систем с питанием от одно- или двухэлементных литий-ионных батарей, новые встречно-сдвоенные MOSFET транзисторы имеют очень низкие потери на проводимость и очень малые размеры корпуса. Применение EFC6601R и EFC6602R позволят уменьшить габариты, увеличить КПД и продлить время работы разрабатываемого устройства от аккумуляторных батарей.

Максимальное напряжение исток-исток для EFC6601R составляет 24 В, а для EFC6602R – 12 В. Оба сдвоенных транзистора имеют объединенные стоки, работают при напряжении питания от 2.5 В и содержат встроенные защитные диоды.

Наименование Uси (макс.), В Uзатв (макс.), В Iс (макс.), A Pрасс (макс.), Вт Rси(вкл,макс) @Uз=2.5В, мОм Rси(вкл,макс) @Uз=4.5В, мОм Qз(тип) @Uз=4.5В, нКл Корпус
EFC6601R 24 12 13 2 17 11.5 48 WLCSP-6
EFC6602R 12 12 18 2 11 5.9 55 WLCSP-6

Источник: compel.ru

Дата публикации: 04.09.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics