Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Первый 100V MOSFET высокоэффективного семейства FastIRFET

Первый 100V MOSFET высокоэффективного семейства FastIRFET



Компания International Rectifier представила рынку MOSFET IRFH7185TRPBF – первый 100 В транзистор семейства FastIRFET™, обеспечивающий эталонную эффективность DC-DC источников питания, широко применяемых для питания модулей электронного оборудования, в том числе, телекоммуникационных систем.

Транзистор IRFH7185TRPBF изготовлен по новейшей 100 В технологии FastIRFET™, реализующей лучшее в отрасли значения параметра FOM (figure of merit), вычисляемого как Rds(on)*Qg – транзистор обладает ультранизким сопротивлением открытого канала в сочетании с более низким, чем в альтернативных транзисторах, зарядом затвора. Кроме того, максимально-допустимый лавинный ток структуры FastIRFET™ на 20% выше, чем у транзисторов, выполненных по другим технологиям. Все это позволяет обеспечить высокую эффективность преобразования, увеличить плотность мощность и повысить надежность системы.

Транзисторы семейства FastIRFET™ работают со множеством контроллеров и драйверов, что обеспечивает гибкость их применения при сохранении высокого рабочего тока, эффективности и частотных характеристик в небольшом планарном корпусе. Транзистор IRFH7185TRPBF отвечает стандартам промышленного применения, уровню MSL1 и изготавливается в промышленном корпусе PQFN размерами 5х6 мм по технологии, соответствующей стандартам действующей директивы RoHS.

Основные параметры:

Ток стока номинальный при 25°C: 123 A
Rds(on) тип./макс. при 10 В Ugs: 4.2 / 5.2 мОм
Заряд затвора при 10 В Ugs: 36 нКл
R*Qg (FOM) при 10 В Ugs: 115.2
Корпус PQFN 5x6

Источник: compel.ru

Дата публикации: 11.04.2014
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics