на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron - RadioRadar

Новости электроники
12 лет назад

Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron


FM25H20 – ферроэлектрическая память емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN. Может быть использована для замены последовательной Flash-памяти в сложных электронных системах с высокой степенью интеграции элементов и с ограничениями по энергопотреблению. По сравнению с Flash-памятью, FRAM потребляет меньше энергии - 10мА, обеспечивает более высокую скорость записи - 40МГц и сроки хранения данных до 10 лет.

Отличительные особенности:

  • организация памяти: 256Кх8бит;
  • интерфейс: SPI;
  • частота шины: до 40МГц;
  • напряжение питания: 2,7...3,6В;
  • ток потребления в режиме энергосбережения: 3мкА;
  • число циклов чтения/записи: 1014;
  • тип корпуса: TDFN-8;
  • температурный диапазон: -40°C...+85°C.

Функциональная схема устройства приведена ниже.

Области применения: системы промышленного контроля, медицинская техника.

Источник: terraelectronica.ru


Другие новости ...