Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron

Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron



FM25H20 – ферроэлектрическая память емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN. Может быть использована для замены последовательной Flash-памяти в сложных электронных системах с высокой степенью интеграции элементов и с ограничениями по энергопотреблению. По сравнению с Flash-памятью, FRAM потребляет меньше энергии - 10мА, обеспечивает более высокую скорость записи - 40МГц и сроки хранения данных до 10 лет.

Отличительные особенности:

  • организация памяти: 256Кх8бит;
  • интерфейс: SPI;
  • частота шины: до 40МГц;
  • напряжение питания: 2,7...3,6В;
  • ток потребления в режиме энергосбережения: 3мкА;
  • число циклов чтения/записи: 1014;
  • тип корпуса: TDFN-8;
  • температурный диапазон: -40°C...+85°C.

Функциональная схема устройства приведена ниже.

Области применения: системы промышленного контроля, медицинская техника.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 28.05.2008
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics