FM25L512-DG – сегнетоэлектрическая память (FRAM) емкостью 512кбит. FRAM-память с произвольным доступом является энергонезависимой и выполняет инструкции чтения и записи подобно RAM-памяти, обеспечивая срок сохранности данных более 10 лет. Интерфейсом подключения к памяти служит скоростная шина SPI.

Как и стандартные микросхемы EEPROM-памяти, FM25L512 выполняют все операции на частоте шины, но без задержек при записи. В дополнении к этому, обеспечивается теоретически неограниченная износоустойчивость к циклам записи/стирания и меньшее энергопотребление по сравнению с EEPROM.

Отличительные особенности:

     энергонезависимая ферроэлектрическая RAM-память;
     организация памяти 65536x8бит (512кбит;
     теоретически неограниченное число циклов чтения/записи;
     срок сохранности данных 10 лет;
     технология записи без задержек (NoDelay);
     скорость шины SPI до 20МГц;
     непосредственная замена для стандартных EEPROM;
     SPI-шина: Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1);
     аппаратная защита от записи;
     программная защита от записи;
     диапазон напряжения питания: 3,0В…3,6В;
     ток потребления 20мкА в режиме ожидания;
     температурный диапазон: -40°C...+85°C;
     корпус TDFN-8.

Области применения: приложения с энергонезависимым хранением информации; где требуется частая и быстрая запись данных; системы сбора данных или системы управления промышленными процессами; системы, работающие в условиях высокой зашумленности; ВЧ системы идентификации.

Другие новости ...

• Fluke представляет измеритель расхода воздуха для контроля и диагностики систем вентиляции
• Макро Групп объявляет о начале поставок GPS-модулей Orcam30F на чипсете SiRF Star III
• Мультимедиа процессор NXP SEMICONDUCTORS улучшает качество звука в сотовых телефонах