Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay

Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay



Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе рабочих напряжений.


Самый низковольтный представитель из числа новинок – SiA467EDJ – обладает Rds(on) всего 13 мОм при -4.5 В на затворе, что позволяет значительно уменьшить статические потери на проводимость и может потребоваться, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. SiA467EDJ и SiA437DJ выдерживают максимальный ток до 30 А, что очень актуально при включении нагрузок с большим пусковым током.
Миниатюрный корпус новых силовых транзисторов 2х2 мм PowerPAK® SC-70 позволяет в значительной степени экономить место на печатной плате разрабатываемого устройства.
Типовая область применения новинок – ключевые схемы "верхнего уровня" для распределения мощности (выключатели нагрузки) в переносных устройствах с автономным (батарейным) питанием.

Наименование VDS (В) VGS (В) RDS(ON) (мОм) @
− 10 В − 4.5 В − 2.5 В − 1.8 В − 1.5 В
SiA467EDJ -12 8 - 13 19.5 40 -
SiA437DJ -20 8 - 14.5 20.5 33.0 65.0
SiA449DJ -30 12 20 24 38 - -
SiA483DJ -30 20 21 30 - - -

Источник: compel.ru

Дата публикации: 03.12.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics