на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay

Новости электроники
6 лет назад

Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay


Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с наименьшим сопротивлением открытого канала в своем классе рабочих напряжений.


Самый низковольтный представитель из числа новинок – SiA467EDJ – обладает Rds(on) всего 13 мОм при -4.5 В на затворе, что позволяет значительно уменьшить статические потери на проводимость и может потребоваться, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой. SiA467EDJ и SiA437DJ выдерживают максимальный ток до 30 А, что очень актуально при включении нагрузок с большим пусковым током.
Миниатюрный корпус новых силовых транзисторов 2х2 мм PowerPAK® SC-70 позволяет в значительной степени экономить место на печатной плате разрабатываемого устройства.
Типовая область применения новинок – ключевые схемы "верхнего уровня" для распределения мощности (выключатели нагрузки) в переносных устройствах с автономным (батарейным) питанием.

НаименованиеVDS (В)VGS (В)RDS(ON) (мОм) @
− 10 В− 4.5 В− 2.5 В− 1.8 В− 1.5 В
SiA467EDJ-128-1319.540-
SiA437DJ-208-14.520.533.065.0
SiA449DJ-3012202438--
SiA483DJ-30202130---

Источник: compel.ru