Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Новые 1200V IGBT с защитой от короткого замыкания

Новые 1200V IGBT с защитой от короткого замыкания



Компания International Rectifier представила семейство высоконадежных сверхбыстрых 1200 В IGBT, оптимизированных для задач управления промышленными двигателями и построения систем бесперебойного питания.

Новые IGBT изготовлены с применением ультратонких пластин по технологии Field-stop Trench (поколение Gen7), обеспечивающей низкие потери проводимости и переключения. Совмещенные в одном корпусе с антипараллельным диодом,  имеющим мягкий режим восстановления и низкое значение заряда обратного восстановления (Qrr), и обладающие широкой (>10 мкс) зоной безопасной работы в режиме короткого замыкания, эти транзисторы идеально подходят для работы в жестких условиях промышленного применения.

Новое семейство IGBT перекрывает рабочий диапазон токов от 10 до 50 А. Дополнительными  достоинствами семейства являются высокая максимальная рабочая температура p-n перехода +150°C и положительная температурная зависимость параметра Vce(on), что облегчает применение транзисторов при параллельном включении. Все это позволяет снизить рассеиваемую мощность и достигнуть высокой плотности выходной мощности.

Транзисторы доступны для заказа в стандартных корпусах TO-247 и с удлиненными выводами (TO-247AD long lead), а также в самом мощном корпусе Super-247 (TO-274). Имеется возможность заказа отдельных кристаллов транзисторов.

 

Наименование

Iс max@100°C, A

Vce(on)@150°C, В

Etot, мДж

Корпус

IRG7PH30K10D

16

2.5

0.9

TO-247AC

IRG7PH37K10D

25

2.4

2.5

TO-247AC

IRG7PH44K10D

40

2.4

5.0

TO-247AC

IRG7PH50K10D

50

2.4

6.3

TO-247AC

IRG7PSH54K10D

65

2.4

11.5

Super TO-247

IRG7PSH73K10

130

2.5

18.4

Super TO-247

 

Источник: compel.ru

Дата публикации: 19.06.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics