на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Эффективные 600V IGBT 6-го поколения в SMD корпусах

Новости электроники
6 лет назад

Эффективные 600V IGBT 6-го поколения в SMD корпусах


Компания International Rectifier предлагает широкую линейку эффективных 600 В IGBT, выполненных по Field-Stop Trench технологии (шестое поколение кремниевой технологии – Gen6) и поставляемых в корпусах для SMD-монтажа: D-PAK и D2-PAK.


Транзисторы обеспечивают высокую плотность мощности и КПД на высоких частотах коммутации – спецификация ultrafast подразумевает диапазон рабочих частот от 8 до 30 кГц. Все IGBT в линейке имеют встроенный антипараллельный диод, что позволяет уменьшить габариты конечного устройства за счет исключения внешнего диода в отдельном корпусе.
Малые значения температурного сопротивления кристалл-корпуса вкупе с низкими значениями Vce(on) обеспечивают рабочий ток транзисторов до 24 А при температуре корпуса 100°C. Это позволяет, во многих случаях, полностью отказаться от радиатора и отводить тепло исключительно на поверхность печатной платы. Квадратная форма зоны работы при обратном смещении (BRSOA), высокая (175°C) допустимая рабочая температура кристалла и 5 мкс область безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) обеспечивают транзисторам повышенную надежность в жестких условиях эксплуатации.

НаименованиеIc, AVce(on) при 25°С, ВEts тип., мкДжДиод (тип.)Корпус
при 25°Спри 100°Стип.макс.Vf, Вtrr, нс
IRGS4045DPBF1261.702.001781.674D2-PAK
IRGR4045DPBF1261.702.001781.674D-PAK
IRGS4064DPBF20101.601.912292.562D2-PAK
IRGS4056DPBF24121.551.853002.168D2-PAK
IRGS4062DPBF48241.601.957151.889D2-PAK

 

Обозначенные IGBT идеально подходят для применения в составе выходных полумостов, корректоров коэффициента мощности (ККМ) и зарядных устройств. Подобные схемы являются частью систем бесперебойного электропитания (UPS), систем электропривода промышленного и потребительского сегментов, а также промышленных систем общего назначения.

Источник: compel.ru