на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

IGT40R070D1E8220 – 400 В GaN транзисторы Infineon

Новости электроники
1 месяц назад

IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon


Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. IGT40R070D1E8220 имеют на борту встроенный внутренний диод (body diode) с нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr) и оптимизированы в первую очередь для работы с аудиоусилителями класса D.

Особенности:

  • Напряжение "сток-исток": 400 В;
  • Канальное сопротивление Rds(on) = 55 мОм при 25°С (тип. значение);
  • Средний ток стока Id = 31 А при 25°С;
  • Нормально закрытые GaN-транзисторы;
  • Оптимизация для работы с усилителями класса D;
  • Высокая скорость переключения, низкий уровень шума;
  • Нулевой заряд обратного восстановления (Qrr);
  • Малый заряд затвора, низкая выходная емкость.

 

Области применения:

  • Аудиоусилители класса D;
  • Специализированные источники питания.

 

Пример использования транзисторов IGT40R070D1E8220

Пример использования транзисторов IGT40R070D1E8220

 

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...