Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: IRFP4868 – силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала

IRFP4868 – силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала



Семейство IRFP4x68 силовых MOSFET в корпусе TO-247, выполненных по технологии HEXFET®-trench и имеющих эталонное сопротивление канала в открытом состоянии, расширилось за счет появления нового 300 В транзистора – IRFP4868. Семейство с успехом применяется в системах синхронного выпрямления, системах ORing и промышленных устройствах: электроприводе мощных двигателей постоянного тока, инверторах и электроинструментах.

 



Все транзисторы семейства IRFP4x68 обладают более низким (до 50%) сопротивлением по сравнению с конкурирующими решениями, что позволило отказаться от больших и дорогих корпусов, традиционно применяемых для транзисторов промышленного исполнения, снижая, тем самым, стоимость конечного устройства. Кроме того, низкое сопротивление уменьшает потери проводимости и повышает КПД системы.

Семейство IRFP4x68 сертифицировано для промышленного применения и перекрывает диапазон рабочих напряжений от 75 до 300 В. Максимально-допустимая рабочая температура p-n перехода составляет 175°С, что позволяет обеспечивать рабочий ток до 195 А для самого мощного представителя семейства. Все транзисторы выполнены по бессвинцовой технологии и безопасны для окружающей среды.
 

Наименование Vdss, В Id при Tкорп=25°C, А Id при Tкорп=100°C, А Rds макс., мОм Qg тип., нКл
IRFP4368PBF 75 350 195* 1.85 380
IRFP4468PBF 100 290 195* 2.6 360
IRFP4568PBF 150 171 125 5.9 151
IRFP4668PBF 200 130 92 9.7 161
IRFP4768PBF 250 93 66 17.5 180
IRFP4868PBF 300 70 49 32 180
 

Источник: compel.ru

Дата публикации: 20.11.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics